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一、證據2之擴散體912係位於N井，擴散體916係位於P井，二者係屬不同的擴散體結構，與系爭專利之第二較重摻雜的n型矽擴散體(N+擴散體)均係位於P井中，二者結構顯然互異。再者，系爭專利之第二N+擴散體係圍繞該第一N+擴散體；惟證據2之圖9A並未揭示擴散體912及擴散體916圍繞第一N+擴散體之結構。……證據2之P+擴散體908,906係連接兩個不同之銲墊，與系爭專利之複數個P+擴散體連接一銲墊不同。又系爭專利之第二N+擴散體係連接至一連接，而證據2之擴散體912藉由金屬層918連接至VCC，而擴散體916藉由金屬層924連接至金屬層914再連接至VIN，因VIN與VCC兩不同電壓，故金屬層924與金屬層914為兩不同之金屬層之連接，與系爭專利之第二N+擴散體係連接至一連接，為不同之連接結構。……證據3雖揭示N+（620，624）形成於N井並將N井重疊進P井21，惟其並未揭示構件620及624圍繞622之結構，亦未揭示構件616及628圍繞620及624之技術特徵。
99年度行專訴字第143號
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- 發布日期 : 100-09-19
- 發布單位 : 專利爭議審查組
- 更新日期 : 100-09-19
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