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C	化學；冶金；組合化學
C23	對金屬材料之鍍覆；用金屬材料對材料之鍍覆（紡織品之金屬化見D06M11/83；用局部金屬化法裝飾紡織品見D06Q1/04）；表面化學處理；金屬材料之擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沈積法之一般鍍覆（作特殊應用者，見有關位置，例如用於電阻器製造見H01C17/06）；金屬材料腐蝕或積垢之一般抑制（用電解法或電泳法處理金屬表面或鍍覆金屬見C25D、F）[2]
C23C	對金屬材料之鍍覆；用金屬材料對材料之鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法之金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沈積法之一般鍍覆（於表面上使用液體或其他流體材料之一般塗覆見B05；擠壓法製造包覆金屬之產品見B21C 23/22；通過將預先存在的薄層連接至製品上之方法用金屬進行鍍覆處理者見各有關位置。例如B21D39/00，B23K；採用電極並通過作用於工件之高密度電流加工金屬見B23H；玻璃之金屬化見C03C；砂漿，混凝土，人造石，陶瓷或天然石之金屬化見C04B 41/00；塗料、合成漆
C23C 2/00	用熔融態覆層材料且不影響形狀之熱浸或浸漬工藝；其所用的設備 [4]
C23C 2/02	待鍍材料之預處理，例如為於選定的表面區域上鍍覆（2/30優先）[4]
C23C 2/04	以覆層材料為特徵者 [4]
C23C 2/06	鋅或鎘或以其為基之合金 [4]
C23C 2/08	錫或錫合金
C23C 2/10	鉛或鉛合金 [4]
C23C 2/12	鋁或鋁合金 [4]
C23C 2/14	過量熔融覆層之除去；覆層厚度之控制或調節（一般之厚度控制或調節見G05D5/02）[4]
C23C 2/16	使用壓力流體，例如氣刀者 [4]
C23C 2/18	長形材料上過量熔融層之除去 [4]
C23C 2/20	帶材；板材 [4]
C23C 2/22	利用鏟刮，例如用刀 [4]
C23C 2/24	使用磁場或電場者 [4]
C23C 2/26	後處理（2/14優先）[4]
C23C 2/28	加熱後處理，例如在油槽中處理 [4]
C23C 2/30	熔劑或融態槽液上之覆蓋物（2/22優先）[4]
C23C 2/32	用施加於槽液或基體之振動能者（2/14優先）[4]
C23C 2/34	以待處理材料之形狀為特徵者（2/14優先）[4]
C23C 2/36	長形材料 [4]
C23C 2/38	線材；管材 [4]
C23C 2/40	板材；帶材 [4]
C23C 4/00	熔融態覆層材料噴鍍法，例如火焰噴鍍法，電漿噴鍍法或放電噴鍍法之鍍覆（堆焊見B23K，例如B23K 5/18、B23K9/04）[4,2016.01]
C23C 4/01	選擇性塗層，例如圖案塗佈，無待塗佈材料的預處理 [2016.01]
C23C 4/02	待鍍材料之預處理，例如為了於選定的表面區域鍍覆 [4]
C23C 4/04	以鍍覆材料為特徵者 [4]
C23C 4/06	金屬材料 [4,2016.01]
C23C 4/067	含非金屬元素的自由粒子，例如碳，矽，硼，磷或砷[2016.01]
C23C 4/073	含MCrAl或MCrAlY的合金，其中M是有或沒有非金屬元素之鎳，鈷或鐵， [2016.01]
C23C 4/08	僅含金屬元素者（C23C4/073優先） [4,2016.01]
C23C 4/10	氧化物，硼化物，碳化物，氮化物或矽化物；為此之混合物 [4,2016.01]
C23C 4/11	氧化物[2016.01]
C23C 4/12	以噴鍍方法為特徵者 [4,2016.01]
C23C 4/123	噴塗熔融金屬[2016.01]
C23C 4/126	爆炸噴塗[2016.01]
C23C 4/129	火焰噴塗[2016.01]
C23C 4/131	線電弧噴塗[2016.01]
C23C 4/134	電漿噴塗[2016.01]
C23C 4/137	在真空中或在惰性氣體中噴塗[2016.01]
C23C 4/14	用於長形材料之鍍覆塗佈 [4,2016.01]
C23C 4/16	線材；管材 [4,2016.01]
C23C 4/18	後處理 [4]
C23C 6/00	基體上澆鑄熔融材料之鍍覆 [4]
C23C 8/00	金屬材料表面中僅滲入非金屬元素之固滲（滲矽見10/00）；金屬材料表面與反應氣體反應、覆層中留存表面材料反應產物法之表面化學處理，例如轉化層，金屬之鈍化（14/00優先）[4]
C23C 8/02	待被覆材料之預處理（8/04優先）[4]
C23C 8/04	局部表面之處理，例如使用光罩者 [4]
C23C 8/06	使用氣體者[4]
C23C 8/08	僅用一種元素者 [4]
C23C 8/10	氧化 [4]
C23C 8/12	使用元素氧或臭氧者 [4]
C23C 8/14	含鐵金屬表面之氧 [4]
C23C 8/16	使用含氧化合物，例如H2O，CO2者 [4]
C23C 8/18	含鐵金屬表面之氧化 [4]
C23C 8/20	滲碳 [4]
C23C 8/22	含鐵金屬表面者 [4]
C23C 8/24	滲氮 [4]
C23C 8/26	含鐵金屬表面者 [4]
C23C 8/28	一步法滲多種元素 [4]
C23C 8/30	碳氮共滲 [4]
C23C 8/32	含鐵金屬表面者 [4]
C23C 8/34	多步法滲多種元素 [4]
C23C 8/36	使用電離氣體者，例如離子氮化（帶有放電物體或材料之引入裝置之放電管本身見H01J 37/00）[4]
C23C 8/38	含鐵金屬表面之處理 [4]
C23C 8/40	使用液體，例如鹽浴、懸浮液者 [4]
C23C 8/42	僅滲一種元素 [4]
C23C 8/44	滲碳 [4]
C23C 8/46	含鐵金屬表面者 [4]
C23C 8/48	滲氮 [4]
C23C 8/50	含鐵金屬表面者 [4]
C23C 8/52	一步法滲多種元素 [4]
C23C 8/54	碳氮共滲 [4]
C23C 8/56	含鐵金屬表面者 [4]
C23C 8/58	多步法滲多種元素 [4]
C23C 8/60	使用固體，例如粉末、膏劑者（使用含固體之懸浮液者見8/40）[4]
C23C 8/62	僅滲一種元素 [4]
C23C 8/64	滲碳 [4]
C23C 8/66	含鐵金屬表面者 [4]
C23C 8/68	滲硼 [4]
C23C 8/70	含鐵金屬表面者 [4]
C23C 8/72	一步法參多種元素 [4]
C23C 8/74	碳氮共滲 [4]
C23C 8/76	含鐵金屬表面者 [4]
C23C 8/78	多步法滲多種元素 [4]
C23C 8/80	後處理 [4]
C23C 10/00	金屬材料表面內僅滲入金屬元素或矽之固滲 [4]
C23C 10/02	待被覆材料之預處理，（10/04優先）[4]
C23C 10/04	局部表面上之擴散處理，例如使用光罩 [4]
C23C 10/06	使用氣體者 [4]
C23C 10/08	僅滲一種元素 [4]
C23C 10/10	滲鉻 [4]
C23C 10/12	含鐵金屬表面者 [4]
C23C 10/14	一步法滲多種元素 [4]
C23C 10/16	多步法滲多種元素 [4]
C23C 10/18	使用液體，例如鹽浴、懸浮液者 [4]
C23C 10/20	僅滲一種元素 [4]
C23C 10/22	於含有欲滲元素之金屬熔體內 [4]
C23C 10/24	於含欲滲元素之鹽浴內[4]
C23C 10/26	滲多種元素 [4]
C23C 10/28	使用固體，例如粉末、膏劑者[4]
C23C 10/30	於表面上使用粉末層或膏劑層者（使用含固體之懸浮液者見10/18）[4]
C23C 10/32	滲鉻 [4]
C23C 10/34	埋置於粉末混合物內者，例如包埋滲 [4]
C23C 10/36	僅滲一種元素 [4]
C23C 10/38	滲鉻 [4]
C23C 10/40	含鐵金屬表面者 [4]
C23C 10/42	有揮發性催滲添加劑，例如鹵代物存在 [4]
C23C 10/44	滲矽 [4]
C23C 10/46	含鐵金屬表面上滲矽者[4]
C23C 10/48	滲鋁 [4]
C23C 10/50	含鐵金屬表面上滲鋁者[4]
C23C 10/52	一步法滲入多種元素 [4]
C23C 10/54	至少有鉻 [4]
C23C 10/56	且至少有鋁 [4]
C23C 10/58	多步法滲多種元素 [4]
C23C 10/60	後處理 [4]
C23C 12/00	金屬材料表面內至少滲入一種矽以外的非金屬元素及至少一種金屬元素或矽之固滲 [4]
C23C 12/02	一步法滲入 [4]
C23C 14/00	經由覆層形成材料之真空蒸發、濺射或離子注入進行鍍覆（附有放電作用物體或材料引入裝置之放電管本身見H01J37/00）[4]
C23C 14/02	待鍍材料之預處理（14/04優先）[4]
C23C 14/04	局部表面上之鍍覆，例如使用光罩 [4]
C23C 14/06	以鍍層材料為特徵者（14/04優先）[4]
C23C 14/08	氧化物（14/10優先）[4]
C23C 14/10	玻璃或二氧化矽 [4]
C23C 14/12	有機材料 [4]
C23C 14/14	金屬材料、硼或矽 [4]
C23C 14/16	於金屬基體或於硼或矽基體上 [4]
C23C 14/18	於其他無機基體上 [2]
C23C 14/20	於有機物基體上 [4]
C23C 14/22	以鍍覆工藝為特徵者 [4]
C23C 14/24	真空蒸發 [4]
C23C 14/26	電阻加熱蒸發源法或感應加熱蒸發源法 [4]
C23C 14/28	波能法或粒子輻射法（14/32至14/48優先）[4]
C23C 14/30	電子轟擊法 [4]
C23C 14/32	爆炸法；蒸發及隨後的氣化物電離法（14/34至14/48優先）[4]
C23C 14/34	濺射 [4]
C23C 14/35	利用磁場者，例如磁控濺射[5]
C23C 14/36	二極濺射（14/35優先）[4,5]
C23C 14/38	用直流熾熱放電 [4]
C23C 14/40	用交流放電者，例如高頻放電 [4]
C23C 14/42	三極濺射（14/35優先）[4,5]
C23C 14/44	施加高頻及附加直流電壓法 [4]
C23C 14/46	用外部離子源產生之離子束法（14/40優先）[4]
C23C 14/48	離子注入 [4]
C23C 14/50	基座 [4]
C23C 14/52	觀察鍍覆工藝之裝置 [4]
C23C 14/54	鍍覆工藝之控制或調節（一般控制或調節見G05）[5]
C23C 14/56	連續鍍覆之專用設備；維持真空之裝置，例如真空鎖定器 [4]
C23C 14/58	後處理 [4]
C23C 16/00	經由氣態化合物分解且表面反應產物不留存於鍍層內之化學鍍覆，例如化學氣相沈積[CVD]工藝（反應濺射或真空蒸發見14/00）[4,2006.01]
C23C 16/01	在臨時受質上，例如在隨後以蝕刻去除之受質上 [7]
C23C 16/02	待鍍材料之預處理（16/04優先）[4]
C23C 16/04	局部表面上之鍍覆，例如使用光罩者 [4]
C23C 16/06	以金屬材料之沈積為特徵者 [4]
C23C 16/08	自金屬鹵化物 [4]
C23C 16/10	僅沉積鉻 [4]
C23C 16/12	僅沉積鋁 [4]
C23C 16/14	僅沉積一種其他之金屬元素 [4]
C23C 16/16	自金屬羰基化合物 [4]
C23C 16/18	自有機金屬化合物 [4]
C23C 16/20	僅沉積鋁 [4]
C23C 16/22	以沈積金屬材料以外之無機材料為特徵者 [4]
C23C 16/24	僅沉積矽 [4]
C23C 16/26	僅沉積碳 [4]
C23C 16/27	僅只金剛石 [7]
C23C 16/28	僅沉積一種其他之非金屬元素 [4]
C23C 16/30	沉積化合物、混合物或固溶體，例如硼化物、碳化物、氮化物 [4]
C23C 16/32	碳化物 [4]
C23C 16/34	氮化物 [4]
C23C 16/36	碳氮化物 [4]
C23C 16/38	硼化物 [4]
C23C 16/40	氧化物 [4]
C23C 16/42	矽化物 [4]
C23C 16/44	以鍍覆方法為特徵者（16/04優先）[4]
C23C 16/442	採用流化床加工法 [7]
C23C 16/448	以產生反應氣流方法為特徵者，例如經由先質之蒸發或昇華 [7]
C23C 16/452	在輸入反應室之前先活化反應氣流法，例如經由電離或添加活性物種 [7]
C23C 16/453	經由燃燒器或噴火炬輸入反應氣體，例如大氣壓力下之CVD法（16/513優先；在熔融狀態下以火焰或電漿噴灑之塗佈材料見4/00）[7]
C23C 16/455	以將氣體輸入反應室或改變反應室內氣流方法為特徵者 [7]
C23C 16/458	以支援反應室內受質方法為特徵者 [7]
C23C 16/46	用加熱基體之方法（16/48，16/50優先）[4]
C23C 16/48	輻射法，例如光分解、輻射分解、粒子輻射 [4]
C23C 16/50	借助放電者 [4]
C23C 16/503	採用直流或交流放電 [7]
C23C 16/505	採用無線電頻率放電 [7]
C23C 16/507	採用外在電極，例如在隧道式反應器中 [7]
C23C 16/509	採用內在電極 [7]
C23C 16/511	採用微波放電 [7]
C23C 16/513	採用電漿噴射 [7]
C23C 16/515	採用脈動放電 [7]
C23C 16/517	採用16/503至16/515諸目中至少兩項合併放電 [7]
C23C 16/52	鍍覆工藝之控制或調整（一般控制或調整見G05）[4]
C23C 16/54	連續鍍覆之專用設備 [4]
C23C 16/56	後處理 [4]
C23C 18/00	經由液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層內不留存表面材料反應產物之化學鍍覆（表面化學反應者見8/00，22/00）；接觸鍍。
C23C 18/02	熱分解法 [4]
C23C 18/04	待鍍材料之預處理（18/06優先）[4]
C23C 18/06	局部表面上之鍍覆，例如使用光罩者 [4]
C23C 18/08	以金屬材料之沉積為特徵者[4]
C23C 18/10	僅沉積鋁 [4]
C23C 18/12	以沉積金屬材料以外之無機材料為特徵者 [4]
C23C 18/14	輻射分解法，例如光分解、粒子輻射 [4]
C23C 18/16	還原法或置換法、例如無電流鍍（18/54優先）[4]
C23C 18/18	待鍍材料之預處理 [4]
C23C 18/20	有機物表面，例如樹脂者[4]
C23C 18/22	粗糙化，例如用蝕刻 [4]
C23C 18/24	使用酸性水溶液者 [4]
C23C 18/26	使用有機液體者 [4]
C23C 18/28	敏化或活化 [4]
C23C 18/30	活化 [4]
C23C 18/31	用金屬鍍覆 [5]
C23C 18/32	用鐵、鈷或鎳之一種鍍覆；用此等金屬之一種與磷或硼所成的混合物鍍覆 [4,5]
C23C 18/34	使用還原劑者 [4,5]
C23C 18/36	使用次磷酸鹽者 [5]
C23C 18/38	鍍銅 [4,5]
C23C 18/40	使用還原劑者 [4,5]
C23C 18/42	鍍貴金屬 [4,5]
C23C 18/44	使用還原劑者 [4,5]
C23C 18/48	用合金鍍覆 [4,5]
C23C 18/50	用鐵基、鈷基或鎳基合金（18/32優先）[4,5]
C23C 18/52	使用還原劑鍍未列入18/32至18/50各目之單一目內之金屬材料 [4]
C23C 18/54	接觸鍍，即無電流化學鍍 [4]
C23C 20/00	經由固態覆層化合物抑或覆層形成化合物懸浮液分解且覆層內不留存表面材料反應產物之化學鍍覆（表面化學反應者見8/00，22/00）[4]
C23C 20/02	鍍金屬材料 [4]
C23C 20/04	鍍金屬 [4]
C23C 20/06	鍍金屬材料以外之無機材料 [4]
C23C 20/08	鍍化合物、混合物或固溶體，例如硼化物、碳化物、氮化物 [4]
C23C 22/00	表面與反應液反應、覆層內留存表面材料反應產物之金屬材料表面化學處理，例如轉化層、金屬之鈍化（蝕洗用塗材見C09D 5/12）[4]
C23C 22/02	使用非水溶液者 [4]
C23C 22/03	含有磷化合物者 [4]
C23C 22/04	含有六價鉻化合物者 [4]
C23C 22/05	使用水溶液者 [5]
C23C 22/06	使用pH<6之酸性水溶液者[4,5]
C23C 22/07	含有磷酸鹽者 [4,5]
C23C 22/08	偏磷酸鹽 [4,5]
C23C 22/10	含有氧化劑者 [4,5]
C23C 22/12	含有鋅陽離子者 [4,5]
C23C 22/13	尚包有硝酸根或或亞硝酸根者 [4,5]
C23C 22/14	尚含有氯酸根者[4,5]
C23C 22/16	尚含有過氧化物者[4,5]
C23C 22/17	尚含有有機酸者[4,5]
C23C 22/18	含有錳陽離子者 [4,5]
C23C 22/20	含有鋁陽離子者 [4,5]
C23C 22/22	含有鹼土金屬陽離子者[4,5]
C23C 22/23	縮合磷酸鹽 [4,5]
C23C 22/24	含有六價鉻化合物者 [4,5]
C23C 22/26	尚含有有機化合物 [4,5]
C23C 22/27	酸類 [4,5]
C23C 22/28	高分子化合物 [4,5]
C23C 22/30	尚含有三價鉻 [4,5]
C23C 22/32	尚含有金屬粉末 [4,5]
C23C 22/33	尚含有磷酸鹽 [4,5]
C23C 22/34	含有氟化物或絡合氟化物者 [4,5]
C23C 22/36	尚含有磷酸鹽 [4,5]
C23C 22/37	尚含有六價鉻化合物[4,5]
C23C 22/38	尚含有磷酸鹽 [4,5]
C23C 22/40	含有鉬酸鹽、鎢酸鹽或釩酸鹽者 [4,5]
C23C 22/42	尚含有磷酸鹽 [4,5]
C23C 22/43	尚含有六價鉻化合物者[4,5]
C23C 22/44	尚含有氟化物或絡合氟化物 [4,5]
C23C 22/46	含有草酸鹽者 [4,5]
C23C 22/47	尚含有磷酸鹽 [4,5]
C23C 22/48	不含磷酸鹽、六價鉻化合物、氟化物或絡合氟化物、鉬酸鹽、鎢酸鹽、釩酸鹽或草酸鹽者 [4,5]
C23C 22/50	鐵或鐵基合金的處理[4,5]
C23C 22/52	銅或銅基合金之處理[4,5]
C23C 22/53	鋅或鋅基合金之處理[4,5]
C23C 22/54	難熔金屬或以其為基之合金的處理 [4,5]
C23C 22/56	鋁或鋁基合金之處理[4,5]
C23C 22/57	鎂或鎂基合金之處理[4,5]
C23C 22/58	其他金屬材料之處理[4,5]
C23C 22/60	使用pH>8之鹼性水溶液者[4,5]
C23C 22/62	鐵或鐵合金之處理 [4,5]
C23C 22/63	銅或銅合金之處理 [4,5]
C23C 22/64	難熔金屬或以其為基之合金的處理 [4,5]
C23C 22/66	鋁或鋁合金之處理 [4,5]
C23C 22/67	用六價鉻化之溶液 [4,5]
C23C 22/68	使用pH為6～8之間之水溶液者 [4,5]
C23C 22/70	使用熔體 [4]
C23C 22/72	鐵或鐵合金之處理 [4]
C23C 22/73	以工藝為特徵者 [4]
C23C 22/74	用於獲得燒上轉化層者 [4]
C23C 22/76	利用噴霧法鍍覆液體 [4]
C23C 22/77	鍍覆工藝之控制或調節（一般控制或調節見G05）[4]
C23C 22/78	待鍍覆材料之預處理 [4]
C23C 22/80	用含鈦或鋯化合物之溶液者[4]
C23C 22/82	後處理 [4]
C23C 22/83	化學後處理 [4]
C23C 22/84	著色 [4]
C23C 22/86	鍍覆槽液之再生 [4]
C23C 24/00	自無機粉末起始的鍍覆（熔融態覆層材料之噴鍍見4/00；固滲見8/00至12/00；金屬粉末燒結法製造複合層、工件或製品見B22F 7/00；摩擦焊見B23K20/12）[4]
C23C 24/02	僅使用壓力者 [4]
C23C 24/04	顆粒之衝擊或動力沉積 [4]
C23C 24/06	粉末狀覆層材料之壓製，例如軋製 [4]
C23C 24/08	加熱法或加壓加熱法者（24/04優先）[4]
C23C 24/10	覆層中臨時形成液相者 [4]
C23C 26/00	未列入2/00至24/00各目內之鍍覆 [4]
C23C 26/02	基體上鍍覆熔融材料者（一般的表面上被覆熔融物見B05）[4]
C23C 28/00	用未列入2/00至26/00各主目內單一目之方法抑或用列入C23C與C25C或C25D各次類中方法之組合以獲得至少二層疊合層之鍍覆 [4]
C23C 28/02	僅為金屬材料覆層 [4]
C23C 28/04	僅為無機非金屬材料覆層 [4]
C23C 30/00	僅以金屬材料組成為特徵之金屬材料鍍覆，即不以鍍覆工藝為特徵（26/00，28/00優先）[4]