:::
國際專利分類查詢
| C | 化學；冶金；組合化學 |
|---|---|
| C23 | 對金屬材料之鍍覆；用金屬材料對材料之鍍覆（紡織品之金屬化見D06M11/83；用局部金屬化法裝飾紡織品見D06Q1/04）；表面化學處理；金屬材料之擴散處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沈積法之一般鍍覆（作特殊應用者，見有關位置，例如用於電阻器製造見H01C17/06）；金屬材料腐蝕或積垢之一般抑制（用電解法或電泳法處理金屬表面或鍍覆金屬見C25D、F）[2] |
| C23F | 非機械方法去除表面上之金屬材料（電浸蝕法加工金屬見B23H；火焰法清除表層金屬材料見B23K7/00；用雷射束加工金屬見B23K26/00；；除去表面材料法產生裝飾效果，例如鏤蝕法、蝕刻法，見B44C1/22；電解蝕刻或拋光見C25F）；金屬材料之緩蝕；一般防積垢；至少一種於C23主類內所列的方法及至少一種於C21D或C22F次類或者C25主類內所列的方法之多步法金屬材料表面處理（在烴類的加工過程中的抑制腐蝕或防污垢見C10G 7/10、C10G 9/16、C10G 75/00）[4] |
| C23F 1/00 | 金屬材料之化學法蝕刻（製作印刷表面見B41C；製作印刷線路見H05K）[2] |
| C23F 1/02 | 局部蝕刻 |
| C23F 1/04 | 化學銑削 |
| C23F 1/06 | 使銼刀銳利 |
| C23F 1/08 | 裝置，如照相印刷製板裝置（照相複印見G03F） |
| C23F 1/10 | 蝕刻用組合物（1/44優先）[4] |
| C23F 1/12 | 氣態組合物 [4] |
| C23F 1/14 | 含水組合物 [4] |
| C23F 1/16 | 酸性組合物（1/42優先）[4] |
| C23F 1/18 | 蝕刻銅或銅合金用者 [4] |
| C23F 1/20 | 蝕刻鋁或鋁合金用者 [4] |
| C23F 1/22 | 蝕刻鎂或鎂合金用者 [4] |
| C23F 1/24 | 蝕刻矽或鍺用者 [4] |
| C23F 1/26 | 蝕刻難熔金屬用者 [4] |
| C23F 1/28 | 蝕刻鐵族金屬用者 [4] |
| C23F 1/30 | 蝕刻其他金屬材料用者[4] |
| C23F 1/32 | 鹼性組合（1/42優先）[4] |
| C23F 1/34 | 蝕刻銅或銅合金用者 [4] |
| C23F 1/36 | 蝕刻鋁或鋁合金用者 [4] |
| C23F 1/38 | 蝕刻難熔金屬用者 [4] |
| C23F 1/40 | 蝕刻其他金屬材料用者 [4] |
| C23F 1/42 | 含有一種與水不互溶的分散相液體者 [4] |
| C23F 1/44 | 由一種不同成分之金屬材料基體上蝕刻金屬材料之組合物 [4] |
| C23F 1/46 | 蝕刻組合物之再生 [4] |
| C23F 3/00 | 金屬之化學法光亮處理 |
| C23F 3/02 | 輕金屬 |
| C23F 3/03 | 用酸性溶液者 [4] |
| C23F 3/04 | 重金屬 |
| C23F 3/06 | 用酸性溶液者 [4] |
| C23F 4/00 | 未列入1/00或3/00目內之表面除去金屬材料之工藝 [4] |
| C23F 4/02 | 蒸發法 [4] |
| C23F 4/04 | 物理溶蝕法 [4] |
| C23F 11/00 | 於有腐蝕劑危險之表面上應用緩蝕劑或於腐蝕劑內加入緩蝕劑之金屬材料緩蝕（孔眼或井就地抑制腐蝕的組合物見C09K 8/54；礦物油，燃油，或潤滑劑中加緩蝕劑見C10；酸性溶液中加緩蝕劑見C23G） |
| C23F 11/02 | 於空氣或氣體內添加氣相緩蝕劑 |
| C23F 11/04 | 於明顯酸性之液體內 |
| C23F 11/06 | 於明顯鹼性之液體內 |
| C23F 11/08 | 於其他液體內 |
| C23F 11/10 | 用有機的緩蝕劑 |
| C23F 11/12 | 含氧之化合物 |
| C23F 11/14 | 含氮之化合物 |
| C23F 11/16 | 含硫之化合物 |
| C23F 11/167 | 含磷之化合物 [4] |
| C23F 11/173 | 高分子化合物 [4] |
| C23F 11/18 | 用無機緩蝕劑 |
| C23F 13/00 | 用陽極或陰極保護法之金屬防腐蝕 |
| C23F 13/02 | 陰極；陰極保護之條件，參數或工藝，如電條件之選擇 [5] |
| C23F 13/04 | 所需參數之控制或調節 [5] |
| C23F 13/06 | 陰極保護裝置之結構部件或組件 [5] |
| C23F 13/08 | 陰極保謢之專用緩蝕電極，其製造；電流之導入 [5] |
| C23F 13/10 | 以結構為特徵之電極（13/16優先）[5] |
| C23F 13/12 | 以材料為特徵之電極（13/16優先）[5] |
| C23F 13/14 | 犧牲陽極用之材料 [5] |
| C23F 13/16 | 以結構及材料之組合為特徵之電極 [5] |
| C23F 13/18 | 電極之支承物 [5] |
| C23F 13/20 | 向電極導入電流 [5] |
| C23F 13/22 | 所用之檢測裝置 [5] |
| C23F 14/00 | 於物理或化學用之液體加熱裝置內之防垢（於水中添加預防或去除水垢劑見C02F5/00）[2] |
| C23F 14/02 | 用化學法 |
| C23F 15/00 | 防腐蝕或防垢之其他方法 |
| C23F 17/00 | 包括至少一種C23主類中所列入的工藝及至少一種C21D或C22F次類或C25主類內所列入的工藝之多步法金屬材料表面處理工藝（用不包括C23C 2/00至C23C 26/00各主目內單一目之方法抑或用列入C23C與C25D各次類中方法之組合以獲得至少二層疊合層之鍍覆見 C23C 28/00）[1,4,2006.01] |