按Enter到主內容區
:::

智慧財產局專利主題網

:::
專利分類

國際專利分類查詢

字型大小：
瀏覽方式：完整分層
共199筆資料
G 物理
G11 資訊儲存
G11C 靜態儲存裝置（半導體記憶裝置見 H10B）[5]
G11C 5/00 包括於11/00目內之儲存記憶體零部件
G11C 5/02 記憶元件之排列，如矩陣型式之排列
G11C 5/04 記憶元件之支撐固定架；記憶元件在支架上之按裝或固定
G11C 5/05 矩陣中磁芯之支撐 [2]
G11C 5/06 電氣式交連儲存記憶元件零部件，藉佈矩陣線方式
G11C 5/08 適用於交連磁體；如環形磁芯，之互連
G11C 5/10 適用於交連電容器
G11C 5/12 適用於交連儲存元件的設備及製程，如磁芯之穿線
G11C 5/14 電源供應裝置 [5,7,2006.01]
G11C 7/00 提供寫入或讀取資訊之數位儲存體構件（5/00優先；採用電晶體構件的儲存器輔助電路見11/4063，11/413，11/4193）[2,5]
G11C 7/02 有避免寄生信號之裝置者
G11C 7/04 有避免由於溫度效應引起干擾之裝置者
G11C 7/06 感測放大器；相關之電路 [1,7,2006.01]
G11C 7/08 其控制 [7]
G11C 7/10 輸入/輸出[I/O]數據介面裝置，例如：I/O數據控制電路，I/O數據緩衝器 [7,2006.01]
G11C 7/12 位元線控制電路，用於位元線之驅動器，增強器，上拉電路，下拉電路，預充電電路，均衡電路 [7]
G11C 7/14 虛單元管理；感測參考電壓產生器 [7]
G11C 7/16 採用包括類比數位（A/D）轉換器，數位記憶器與數位類比（D/A）轉換器之裝置以數位方式儲存類比信號 [7]
G11C 7/18 位元線組織；位元線佈局 [7]
G11C 7/20 記憶單元初始化電路，例如：當通電或斷電時，記憶清除，潛像記憶 [7]
G11C 7/22 讀－寫（R－W）時序或時脈電路；讀－寫（R－W）控制信號產生器或管理 [7]
G11C 7/24 記憶單元安全或保護電路，例如：用於防止無意中的讀或寫之裝置；狀態單元；測試單元 [7]
G11C 8/00 適用於數位儲存記憶體的定址構件（以電晶體為構件的儲存記憶體輔助電路見11/4063，11/413，11/4193）[2,5]
G11C 8/02 應用定址選擇矩陣者 [2]
G11C 8/04 採用循序定址器件者，如移位暫存器、計數器 [5,2006.01]
G11C 8/06 位址介面裝置，例如：位址緩衝器 [7,2006.01]
G11C 8/08 字元線控制電路，例如：用於字元之驅動器，增強器，上拉電路，下拉電路，預充電電路 [7]
G11C 8/10 解碼器 [7]
G11C 8/12 群組選擇電路，例如：用於記憶區塊選擇，晶片選擇，陣列選擇 [7]
G11C 8/14 字元線組織；字元線佈局 [7]
G11C 8/16 多重存取記憶器陣列，例如：利用至少兩個獨立之位址線組尋址一個儲存單元 [7]
G11C 8/18 位址時序或時脈電路；位址控制信號產生或管理，例如：用於行位址選通（RAS）或列位址選通（CAS）信號者 [7]
G11C 8/20 位址安全或保護電路，即：用於防止非法或意外存取之裝置 [7]
G11C 11/00 以使用特殊的電或磁記憶元件為特徵而區分之數位儲存記憶元件（14/00至21/00優先）[5]
G11C 11/02 應用磁性元件者
G11C 11/04 應用圓筒形記憶元件者，如磁棒、磁線（11/12，11/14優先）[2]
G11C 11/06 應用單孔記憶元件者，如環形磁芯；應用多孔板者，其中板上之每個單孔形成一個記憶元件
G11C 11/061 應用單孔或磁環記憶元件者，每一元件佔一位元，並且用於破壞性讀出者 [2]
G11C 11/063 位元為組件者，諸如2L/2D，3D制，即：藉助兼具讀寫之至少兩等分之電流選用方式之元件選取 [2]
G11C 11/065 字元為組件者，諸如2D制或線性選擇，即：藉助單一全電流方式做字元元件選取 [2]
G11C 11/067 應用單孔或磁環記憶元件者，每一元件佔一位元，並且用於非破壞性讀出者 [2]
G11C 11/08 應用多孔記憶元件者，如應用多孔磁芯記憶體；應用將多個單獨的多孔記憶元件予以併合之板 [1,2,2006.01]
G11C 11/10 應用多軸記憶元件者
G11C 11/12 應用磁張線的；應用磁扭線者，即；一個磁化軸被扭彎的元件[1,2006.01]
G11C 11/14 應用薄膜元件者
G11C 11/15 應用多層磁性者（11/155優先）[2]
G11C 11/155 有圓筒狀結構者
G11C 11/16 應用磁自旋效應之記憶元件者
G11C 11/18 應用“霍爾”效應器件者
G11C 11/19 在諧振電路中應用非線性電抗器件者 [2]
G11C 11/20 應用參量管者 [2]
G11C 11/21 應用電元件者 [2]
G11C 11/22 應用鐵電元件者 [2]
G11C 11/23 在公共層採用靜電記憶者，如Forrester-Haeff管（11/22優先）[2]
G11C 11/24 應用電容器者（11/22優先；使用半導體裝置與電容器相結合者見11/34，如，11/40）[2,5]
G11C 11/26 應用放電管者 [2]
G11C 11/28 應用充氣管者 [2]
G11C 11/30 應用真空管者（11/23優先）[2]
G11C 11/34 應用半導體裝置者 [2]
G11C 11/35 在空乏層中採用電荷儲存者，例如；電荷耦合元件 [7]
G11C 11/36 應用二極管者，如臨界元件[2]
G11C 11/38 應用透納二極管者 [2]
G11C 11/39 使用可矽控整流器者 [5]
G11C 11/40 應用電晶體者 [2]
G11C 11/401 形成需要刷新或電荷再生之單元者，即：動態單元的 [5]
G11C 11/402 對每個記憶單元個進行電荷再生者，即，內部刷新 [5]
G11C 11/403 對多個記憶單元共同進行電荷再生者，即，外部刷新 [5]
G11C 11/404 有一個電荷傳輸門者，如每個單元一個MOS晶體管 [5]
G11C 11/405 有三電荷閘極者，如每個單元由多個MOS電晶體構成 [5]
G11C 11/406 刷新或電荷再生周期之管理或控制 [5]
G11C 11/4063 輔助電路，例如：用於定址、解碼、驅動、寫入、感測或定時者 [7]
G11C 11/4067 用於雙極型之記憶單元 [7]
G11C 11/407 用於場效應型記憶單元者 [5]
G11C 11/4072 用於初始化、通電或斷電、記憶清除或預設之電路 [7]
G11C 11/4074 電源供應或電壓產生電路，例如：偏壓產生器、基板電壓產生器、備用電源、電源控制電路 [7]
G11C 11/4076 時序電路（用於再生管理者見11/406）[7]
G11C 11/4078 （校驗或測試期間記憶內容的保護見29/52） [7,8]
G11C 11/408 定址電路 [5]
G11C 11/409 讀寫電路 [5]
G11C 11/4091 感測或感測/更新放大器，或相關之感測電路，例如：用於耦合位元線預充電、均衡或隔離 [7]
G11C 11/4093 輸入/輸出[I/O]數據介面裝置，如：數據緩衝器 [7,2006.01]
G11C 11/4094 位元線控制電路[7]
G11C 11/4096 輸入/輸出（I/O）數據管理或控制電路，例如：讀或寫電路，I/O驅動器，位元線開關 [7]
G11C 11/4097 位元線組織，例如：位元線佈局，摺疊位元線 [7]
G11C 11/4099 虛單元處理；參考電壓產生器 [7]
G11C 11/41 用正反饋形成單元者，即不需要刷新或電荷再生之單元。如雙穩定態多諧振盪器或史密特（Schmitt）觸發器 [5]
G11C 11/411 僅使用雙極電晶體者[5]
G11C 11/412 僅使用場效應電晶體者[5]
G11C 11/413 輔助電路，如，用於定址者、解碼者、驅動者、寫入者、讀出者、定時者或省電者 [5]
G11C 11/414 用於雙極型記憶單元者 [5]
G11C 11/415 定址電路 [5]
G11C 11/416 讀寫電路 [5]
G11C 11/417 用於場效應型記憶單元者 [5]
G11C 11/418 定址電路 [5]
G11C 11/419 讀寫電路 [5]
G11C 11/4193 專用於特定類型半導體記憶元件之輔助電路，例如：用於定址，驅動，感測，定時，電源供應，信號傳播者（11/4063，11/413優先）[7]
G11C 11/4195 位址電路 [7]
G11C 11/4197 讀－寫（R－W）電路[7]
G11C 11/42 使用光電裝置者，即，電耦合或光耦合之光發射裝置及光電裝置
G11C 11/44 應用超導元件者，如冷子管[5]
G11C 11/46 應用熱塑性元件者
G11C 11/48 應用可替換的耦合件元件者，如在互感或自感之不同狀態之間作變動的鐵磁磁芯
G11C 11/50 應用電接點觸動之動作以記憶資訊者 [1,2006.01]
G11C 11/52 應用電磁繼電器者
G11C 11/54 應用模仿生物細胞之元件者，如類神經元
G11C 11/56 使用具有按級表示的多於兩個穩態之記憶元件者，如，電壓、電流、相位、頻率者 [2,2006.01]
G11C 13/00 按所使用的不包括於11/00，23/00或25/00各目內之記憶元件為特徵而區分的數位儲存記憶體
G11C 13/02 使用依化學變化改變而運作之元件 [1,2006.01]
G11C 13/04 使用光學元件之數位儲存記憶體
G11C 13/06 應用磁光元件者 [2,2006.01]
G11C 14/00 以當電源斷電時用於後備的具有揮發及非揮發記憶特性之單元裝置為特徵區分的數位儲存記憶體 [5]
G11C 15/00 該記憶體所記憶的資訊係由向該記憶體寫入一個或多個特徵部分所組成者，並且其資訊係經由搜索一個或多個此特徵部分進行讀出之數位儲存記憶體，即關連定址記憶體或內容定址記憶體 [1,2,2006.01]
G11C 15/02 應用磁性元件者 [2]
G11C 15/04 應用半導體元件者 [2]
G11C 15/06 應用低溫元件者 [2]
G11C 16/00 可消除內儲資訊的程控唯讀記憶體 （14/00優先）[5]
G11C 16/02 用電壓方式寫入資料於記憶體方式者 [5]
G11C 16/04 使用是可變臨界值電晶體者，如，FAMOS [5]
G11C 16/06 輔助電路，如，用於寫入存貯器者 [5,2006.01]
G11C 16/08 位址電路；解碼器；字元線控制電路 [7]
G11C 16/10 編程或數據輸入電路 [7]
G11C 16/12 編程電壓切換電路 [7]
G11C 16/14 用於抹除之電路，例如：抹除電壓切換電路 [7]
G11C 16/16 用於抹除區塊，例如：陣列、字元、群組 [7]
G11C 16/18 光學抹除之電路 [7]
G11C 16/20 初始化；數據預設；晶片識別 [7]
G11C 16/22 用於防止非法或意外存取至記憶單元之安全或保護電路 [7]
G11C 16/24 位元線控制電路 [7]
G11C 16/26 感測或讀取電路；數據輸出電路 [7]
G11C 16/28 利用差動感測或參考單元，例如：虛擬單元 [7]
G11C 16/30 電源供應電路 [7]
G11C 16/32 時序電路 [7]
G11C 16/34 編程狀態之確定，如門檻電壓，過編程或欠編程，保留 [7]
G11C 17/00 僅能寫入一次的程式控制唯讀記憶體，如手動可替換資訊卡片者 [1,2,5,2006.01]
G11C 17/02 應用磁性或電感性元件者（17/14優先）[2,5]
G11C 17/04 應用電容性元件者（17/06，17/14優先）[2,5]
G11C 17/06 應用二極體元件者（17/14優先）[2,5]
G11C 17/08 應用半導體裝置者，如，雙極性元件（17/06，17/14優先）[5]
G11C 17/10 於製造過程內用耦合元件之預定排列確定其存貯內容者，如光罩式可程控ROM [5]
G11C 17/12 應用場效應裝置者 [5]
G11C 17/14 利用有選擇地建立，斷開或修改能永久變更耦合元件狀態之連接鏈路確定其存貯內容者，如，PROM [5]
G11C 17/16 應用電可熔鏈路者 [5]
G11C 17/18 輔助電路，如，用於寫入記憶體者 [5,2006.01]
G11C 19/00 資訊係步進移動之數位儲存記憶體，如位移計數器[1,2006.01]
G11C 19/02 應用磁性元件者（19/14優先）[2]
G11C 19/04 應用單孔磁芯或磁環者 [2]
G11C 19/06 應用多孔或多磁環結構者，如：多孔磁芯記憶體 [2]
G11C 19/08 應用平面結構薄膜者 [2]
G11C 19/10 應用圓棒薄膜者；用磁扭線者 [2]
G11C 19/12 於諧振電路內應用非線性電抗器件者 [2]
G11C 19/14 應用與主動元件組合之磁性元件，例如：放電管，半導體元件（19/34優先）[2,7]
G11C 19/18 應用電容器作為各級主要元件者 [2]
G11C 19/20 應用放電管者（19/14優先）[2]
G11C 19/28 應用半導體元件者（19/14，19/36優先）[2,7]
G11C 19/30 應用光－電元件者，即：光發射裝置以及或電耦合或光耦合之光電裝置 [2]
G11C 19/32 應用超導元件者 [2]
G11C 19/34 應用具有由例如電壓、電流、相位、頻率分級表示的兩個以上穩定狀態之儲存元件 [7]
G11C 19/36 應用半導體元件者 [7]
G11C 19/38 二維的，例如水平或垂直的移位暫存器 [7]
G11C 21/00 環形資訊儲存裝置（步進移動者見19/00）
G11C 21/02 應用機械電延遲線者，如應用汞槽
G11C 23/00 按機械配件之運動影響記憶為特徵而區分的數位儲存記憶體，如使用軌跡球者；為此所用的記憶元件 [1,2006.01]
G11C 25/00 按使用流動介質為特徵而區分的數位儲存記憶體；為此所用的記憶元件
G11C 27/00 電類比記憶體，如用於瞬時值記憶者
G11C 27/02 取樣－保持裝置 [2,4,2006.01]
G11C 27/04 移位寄存器 [4,2006.01]
G11C 29/00 記憶體正確運行之檢測；在待機或離線操作時的記憶體的測試 [1,8]
G11C 29/02 輔助電路的缺陷的檢測或定位，如，充電計數器的缺陷 [8]
G11C 29/04 儲存元件的缺陷的檢測或定位 [8]
G11C 29/06 加速測試 [8]
G11C 29/08 功能測試，如，充電時的測試、開機自我檢測（POST）或分散式測試 [8]
G11C 29/10 測試演算法，如，儲存掃描（Mscan）演算法；測試樣式，例如棋盤樣式 [8]
G11C 29/12 用於測試的內建裝置，如內建自我測試裝置（BIST） [8]
G11C 29/14 建構於控制邏輯者，例如測試模式解碼器 [8]
G11C 29/16 使用微程式單元，例如狀態機 [8]
G11C 29/18 位址產成裝置；記憶體存取裝置，例如位址電路之零部件 [8]
G11C 29/20 用計數器或線性反饋移位暫存器（LFSR） [8]
G11C 29/22 存取串列記憶體 [8]
G11C 29/24 存取額外單元，如虛擬單元或冗餘單元 [8]
G11C 29/26 存取多重陣列 （29/24優先） [8]
G11C 29/28 隸屬的多重陣列，如多位元陣列 [8]
G11C 29/30 存取單陣列 [8]
G11C 29/32 串列存取；掃描測試[8]
G11C 29/34 同時存取多位元[8]
G11C 29/36 數據產生裝置，如數據變換器 [8]
G11C 29/38 響應驗證裝置 [8]
G11C 29/40 用壓縮技術 [8]
G11C 29/42 用錯誤修正碼（ECC）或同位元檢查 [8]
G11C 29/44 錯誤之指示或識別，例如修復目的者 [8]
G11C 29/46 測試觸發邏輯 [8]
G11C 29/48 專門適用於藉由儲存裝置之外部裝置來測試的靜態記憶體中的裝置，例如，藉由直接記憶體存取[DMA]或藉由輔助存取路徑[2006.01]
G11C 29/50 邊際測試，例如爭用（race）、電壓或電流測試 [8]
G11C 29/52 記憶體內容的保護；記憶體內容的錯誤偵測 [8]
G11C 29/54 用來設計測試電路的裝置，如可測試設計（DFT）工具 [8]
G11C 29/56 用於靜態記憶體的外部測試裝置，例如自動化測試設備（ATE）；所用接口 [8]
G11C 99/00 本次類其他各目中不包含的技術主題 [8]
回頁首