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H	電學
H01	基本電氣元件
H01S	利用受激發射之裝置
H01S 1/00	微波激射器，即利用受激發射對波長較紅外射線長的電磁波進行產生、放大、調制、解調或變頻之裝置
H01S 1/02	固體者
H01S 1/04	液體者
H01S 1/06	氣體者
H01S 3/00	雷射器，即利用紅外線內之電磁輻射、可見光或紫外線波長範圍內的激發射裝置（半導體雷射見5/00） [1,2006.01]
H01S 3/02	結構零部件
H01S 3/03	氣體雷射器放電管者 [2]
H01S 3/032	用於限制放電者，例如利用放電管之專門特性 [5]
H01S 3/034	氣體雷射管內之光學裝置或構件，例如窗口，鏡片（對諧振腔之初始調節具有可變性能或位置之反射鏡見3/086）[5]
H01S 3/036	氣體雷射放射管內取得或保持所需氣體壓力之方法，例如，利用吸氣劑，為平衡管內之壓力（氣體雷射器之冷卻裝置見3/041；氣動雷射器見3/0979）[5]
H01S 3/038	電極，例如特殊的形狀，結構或配置 [5]
H01S 3/04	熱管理安排 [1,2006.01]
H01S 3/041	用於氣體雷射器者 [5]
H01S 3/042	用於固體雷射器者 [5]
H01S 3/05	光學諧振器之結構或形狀；包括激勵介質之調節；激勵介質之形狀
H01S 3/06	激勵介質之結構或形狀
H01S 3/063	波導雷射，如雷射放大器 [7]
H01S 3/067	纖維雷射 [7]
H01S 3/07	由多個部件組成者，如斷片（3/067優先）[2,7]
H01S 3/08	光學諧振器或其部件之結構或形狀 [2]
H01S 3/08018	模態抑制[2023.01]
H01S 3/08022	縱模（使用多個諧振器進行模態抑制者，轉見H01S 3/082）[2023.01]
H01S 3/08031	單模發射[2023.01]
H01S 3/08036	使用腔內色散、偏振或雙折射元件[2023.01]
H01S 3/0804	橫模 [2023.01]
H01S 3/08045	單模發射 [2023.01]
H01S 3/0805	藉由孔徑，例如針孔(pin-holes)或刀口(knife-edges)[2023.01]
H01S 3/081	有三個或更多的反射器者 [2,2006.01]
H01S 3/082	多個諧振器，例如用於模式之選擇或抑制 [2]
H01S 3/083	環行雷射器（雷射陀螺測試儀見G01C19/66）[2]
H01S 3/086	用於對諧振器進行起始調節之具有可變性能或位置之一個或多個反射器（於工作時改變雷射器輸出參數者見3/10；雷射器輸出之穩定見3/13）[2]
H01S 3/09	激勵之方法或裝置，例如泵激勵
H01S 3/091	應用光泵者 [2]
H01S 3/0915	利用非相干光 [5]
H01S 3/092	閃光燈者（3/0937優先）[2,5]
H01S 3/093	將激勵能引入或聚集於激勵介質內 [2,5]
H01S 3/0933	半導體，如發光二極管者[2,5]
H01S 3/0937	利用爆炸或易燃材料產生者 [5]
H01S 3/094	利用相干光 [2]
H01S 3/0941	半導體雷射的，例如雷射二極體 [6]
H01S 3/0943	氣體雷射器者 [5]
H01S 3/0947	有機染料雷射器者 [5]
H01S 3/095	應用化學泵或熱泵者 [2]
H01S 3/0951	經由增加雷射器氣體介質之壓力 [5]
H01S 3/0953	氣動雷射器，即利用雷射氣體介質膨脹至超音氣流速度 [5]
H01S 3/0955	利用高能粒子之泵浦 [5]
H01S 3/0957	經由過高能核粒子 [5]
H01S 3/0959	通過電子束 [5]
H01S 3/097	通過氣體雷射器之氣體放電[2]
H01S 3/0971	橫向激勵者（3/0975優先）[5]
H01S 3/0973	具有行波通過雷射介質[5]
H01S 3/0975	利用電感或電容激勵 [5]
H01S 3/0977	具有輔助電離裝置 [5]
H01S 3/0979	氣動雷射器，即利用將氣體雷射介質膨脹至超音氣流速度 [5]
H01S 3/098	鎖模；模態抑制（應用多個諧振器之模態抑制見3/082）[2]
H01S 3/10	控制輻射之強度、頻率、相位、極化或方向，例如開關、閘通、調變或解調 [1,2,2006.01]
H01S 3/101	雷射器，具有改變雷射發射之位置與方向之裝置（一般的光掃描系統見G02B 26/10；光電，光磁或光聲之偏轉部件或裝置見G02F 1/29）[2]
H01S 3/102	由控制激勵媒質，例如經由控制激勵之方法或設備（3/13優先）[4]
H01S 3/104	於氣體雷射器內 [4]
H01S 3/105	由控制腔之反射器之相互位置或反射性能（3/13優先）[4]
H01S 3/1055	反射器之一係由繞射光柵構成者 [4]
H01S 3/106	由控制安置於腔內元件（3/13優先）[4,2006.01]
H01S 3/107	應用光電元件，例如呈現波克耳效應或克爾效應者 [4,2006.01]
H01S 3/108	應用非線性光學元件，例如呈現布里完散射或拉曼散射者 [4,2006.01]
H01S 3/109	倍頻，如諧波之產生 [4,2006.01]
H01S 3/11	鎖模；Q開關；其他巨脈衝技術，例如傾斜腔[1,2006.01,2023.01]
H01S 3/1106	鎖模[2023.01]
H01S 3/1109	主動鎖模 [2023.01]
H01S 3/1112	被動鎖模 [2023.01]
H01S 3/1115	使用腔內飽和吸收體 [2023.01]
H01S 3/1118	半導體飽和吸收體，例如半導體飽和吸收鏡[SESAMs]；固態飽和吸收體，例如碳奈米管[CNT]基[2023.01]
H01S 3/1123	Q開關[2023.01]
H01S 3/113	應用腔內飽和吸收體[2,2006.01]
H01S 3/115	應用腔內電光裝置者 [4,2006.01]
H01S 3/117	應用腔內聲光裝置者 [4,2006.01]
H01S 3/121	應用腔內機械裝置者 [4,2006.01]
H01S 3/123	應用旋轉鏡 [4,2006.01]
H01S 3/125	應用旋轉稜鏡[4,2006.01]
H01S 3/127	使用多個Q開關者 [4,2006.01]
H01S 3/13	雷射器輸出參數，例如頻率或幅度之穩定 [2,2006.01]
H01S 3/131	由控制激勵手段，例如控制激勵方法或設備 [4]
H01S 3/134	於氣體雷射器內 [4]
H01S 3/136	由控制安置於腔內之裝置 [4,2006.01]
H01S 3/137	用於穩定頻率者 [4]
H01S 3/139	由控制腔的反射器之相互位置或反射器之反射性能 [4]
H01S 3/14	按所用激勵介質之材料而區分者
H01S 3/16	固體材料
H01S 3/17	非晶體者，例如玻璃 [2]
H01S 3/20	液體者
H01S 3/207	包括一種螯合物者 [5]
H01S 3/213	包括一種有機染料者 [5]
H01S 3/22	氣體者
H01S 3/223	多原子活性氣體，例如含有兩個或更多的原子者（3/227優先）[2,5,2006.01]
H01S 3/225	包括一種激發物或激態複合物 [5]
H01S 3/227	金屬蒸汽 [5]
H01S 3/23	在3/02至3/14各目中未提供的兩個或多個雷射裝置，如分離活動介質的串聯裝置（僅包含半導體雷射者見5/40）[2,7,8]
H01S 3/30	應用散射效應者，例如受激布里淵效應或拉曼效應 [2]
H01S 4/00	不包括於1/00，3/00或5/00各目內，應用受激發射波能之裝置，如聲子激發器、γ射線激射器
H01S 5/00	半導體雷射(超輻射發光二極體見H10H 20/00) [7,2006.01]
H01S 5/02	對雷射作用無重大意義的結構零件或組件 [7]
H01S 5/022	安裝；外殼 [7,2006.01,2021.01]
H01S 5/02208	以外殼形狀為特徵 [2021.01]
H01S 5/02212	罐型，如沿對稱軸或平行於對稱軸發射的罐式殼體 [2021.01]
H01S 5/02216	碟型，即電極針從外殼水平延伸 [2021.01]
H01S 5/02218	外殼材料，外殼填充 [2021.01]
H01S 5/0222	充氣外殼 [2021.01]
H01S 5/02224	包含氧氣的氣體，例如為了避免汙染發光面 [2021.01]
H01S 5/02232	充滿液體的外殼 [2021.1]
H01S 5/02234	樹脂填充的外殼，外殼由樹脂製成 [2021.01]
H01S 5/02235	吸收汙染物的吸氣材料[2021.01]
H01S 5/0225	光的耦合輸出 [2021.01]
H01S 5/02251	使用光纖 [2021.01]
H01S 5/02253	使用透鏡 [2021.01]
H01S 5/02255	使用光束偏折元件 [2021.01]
H01S 5/02257	使用窗口，如特別適用於將光向後反射到外殼內部的檢測器 [2021.01]
H01S 5/023	安裝構件，如子安裝構件 [2021.01]
H01S 5/0231	主幹 [2021.01]
H01S 5/02315	支撐構件，如底座或載體 [2021.01]
H01S 5/0232	引線框 [2021.01]
H01S 5/02325	在安裝構件或光學微平台上的機械積體組件 [2021.01]
H01S 5/02326	雷射二極體和光學元件的相對位置布置，如安裝構件上的凹槽可固定光纖或透鏡 [2021.01]
H01S 5/0233	雷射晶片的安裝配置 [2021.01]
H01S 5/02335	正置安裝，如磊晶面朝上安裝或接面朝上安裝 [2021.01]
H01S 5/0234	倒置安裝，如覆晶，磊晶面朝下安裝或接面朝下安裝 [2021.01]
H01S 5/02345	引線接合 [2021.01]
H01S 5/0235	雷射晶片的安裝方法 [2021.01]
H01S 5/02355	將雷射晶片固定在安裝架上 [2021.01]
H01S 5/0236	使用黏合劑 [2021.01]
H01S 5/02365	藉由夾緊 [2021.01]
H01S 5/0237	藉由焊接 [2021.01]
H01S 5/02375	雷射晶片的定位 [2021.01]
H01S 5/0238	使用標記 [2021.01]
H01S 5/02385	使用雷射做為參考[2021.01]
H01S 5/0239	電氣或光學元件的組合 [2021.01]
H01S 5/024	熱管理安排 [7,2006.01]
H01S 5/026	整體集成元件，如導波、監測光探測器、激勵器（輸出穩定見5/06；光導與光電元件的連接見G02B6/42；包含多個半導體之裝置及在一共用基質內或其上形成的其它固態組件，適用於光發射者見H01L 27/15）[7]
H01S 5/028	鍍層 [7]
H01S 5/04	激勵的方法或裝置，如泵激勵（5/06優先）[7]
H01S 5/042	電激勵 [7]
H01S 5/06	控制雷射輸出參數的裝置，如控制活動介質（利用光的傳輸系統者見H04B10/00）[7]
H01S 5/062	可能變化電極電位者（5/065優先）[7]
H01S 5/0625	在多段雷射裡 [7]
H01S 5/065	模式鎖定；模式抑制；模式選擇 [7]
H01S 5/068	雷射輸出參數的穩定（5/0625優先）[7]
H01S 5/0683	通過監測光輸出參數的 [7]
H01S 5/0687	穩定雷射頻率的 [7]
H01S 5/10	光學諧振腔的結構或形狀 [7,2006.01,2021.01]
H01S 5/11	包含光子能隙結構 [2021.01]
H01S 5/12	具有周期性結構的諧振腔，如在分散式反饋雷射中的[DFB-雷射]（包含光子能隙結構見5/11；表面發射雷射見5/18）[7,2006.01,2021.01]
H01S 5/125	分散式布拉格（Bragg）反射器雷射（DBR-雷射）[7]
H01S 5/14	外腔諧振器雷射（5/18優先；模式鎖定見5/065）[7]
H01S 5/16	窗形雷射，即在作用區和反射面之間有不吸收材料區域者（5/14優先）[7]
H01S 5/18	表面發射[SE]雷射，例如同時具有水平和垂直腔體[7,2006.01,2021.01]
H01S 5/183	僅具有垂直腔者，如垂直腔表面發射雷射[VCSEL][7,2006.01]
H01S 5/185	僅具有水平腔者，如水平腔表面發射雷射[HCSEL] （包含光子能隙結構見5/11）[2021.01]
H01S 5/187	用布拉格反射者 [7,2006.01]
H01S 5/20	引導光波之半導體的結構或形狀 [7]
H01S 5/22	具有脊狀或條狀結構者 [7]
H01S 5/223	埋入的條狀結構（5/227優先）[7]
H01S 5/227	埋入的檯面結構 [7]
H01S 5/24	具有槽結構者，如V-槽結構[7]
H01S 5/30	作用區的結構或形狀；及相關材料 [7]
H01S 5/32	具有PN接面者，如異質或雙異質結構（5/34優先）[7]
H01S 5/323	使用AⅢBⅤ化合材料者，如AlGaAs-雷射 [7]
H01S 5/327	使用AⅡBⅥ化合材料者，如ZnCdSe-雷射 [7]
H01S 5/34	具有量子井的或超晶格結構的，如單量子井[SQW]雷射，多量子井[MQW]雷射，緩變指數分離限制異質結構[GRINSCH]雷射（5/36優先）[7,2006.01]
H01S 5/343	使用AⅢBⅤ族化合材料者，如AlGaAs-雷射 [7]
H01S 5/347	使用AⅡBⅥ族化合材料者，如ZnCdSe-雷射 [7]
H01S 5/36	包含有機材料者（染料雷射見 3/213）[8]
H01S 5/40	在5/02至5/30各目中未提供的兩個或多個半導體雷射裝置（5/50優先）[7]
H01S 5/42	表面發射雷射的陣列 [7]
H01S 5/50	在5/02至5/30各目中未提及的放大器結構（傳輸系統的中繼器見H04B 10/17）[7]