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國際專利分類查詢
| H | 電學 |
|---|---|
| H10 | 半導體設備；未另行規定的電子固態設備 [2023.01] |
| H10B | 電子儲存設備[2023.01] |
| H10B 10/00 | 靜態隨機存取記憶體[SRAM]元件[2023.01] |
| H10B 10/10 | 靜態隨機存取記憶體元件包含雙極性零件[2023.01] |
| H10B 12/00 | 動態隨機存取記憶體[DRAM]元件[2023.01] |
| H10B 12/10 | 動態隨機存取記憶體元件包含雙極性零件[2023.01] |
| H10B 20/00 | 唯讀記憶體[ROM]元件[2023.01] |
| H10B 20/10 | 唯讀記憶體元件包含雙極性零件[2023.01] |
| H10B 20/20 | 包含場效元件的可程式唯讀記憶體[PROM]元件 (20/10優先)[2023.01] |
| H10B 20/25 | 一次可程式唯讀記憶體[OTPROM]元件，例如：使用電熔絲連結[2023.01] |
| H10B 41/00 | 包含浮動閘極的電子可抹拭唯讀記憶體[EEPROM]元件 [2023.01] |
| H10B 41/10 | 以俯視圖佈局為特徵[2023.01] |
| H10B 41/20 | 具有三維（3D）結構特徵，例如具有不同高度的單元[2023.01] |
| H10B 41/23 | 具有在不同水平的源極與汲極，例如：具有傾斜的通道[2023.01] |
| H10B 41/27 | 通道包含垂直部分，例如：U型的通道[2023.01] |
| H10B 41/30 | 以記憶體的核心區域為特徵[2023.01] |
| H10B 41/35 | 具有單元選擇電晶體，例如：快閃記憶體(NAND)[2023.01] |
| H10B 41/40 | 以週邊的電路區域為特徵[2023.01] |
| H10B 41/41 | 帶有一個記憶體區域包含單元選擇電晶體，例如：快閃記憶體(NAND)[2023.01] |
| H10B 41/42 | 週邊及記憶體單元的同步製造[2023.01] |
| H10B 41/43 | 僅包含一種類型的週邊電晶體[2023.01] |
| H10B 41/44 | 具有一個控制閘極層，其也作為週邊電晶體的一部分[2023.01] |
| H10B 41/46 | 具有一個內閘極介電質層，其也作為週邊電晶體的一部分[2023.01] |
| H10B 41/47 | 具有一個懸浮閘極層，其也作為週邊電晶體的一部分[2023.01] |
| H10B 41/48 | 具有一個隧道介電層，其也作為週邊電晶體的一部分2023.01] |
| H10B 41/49 | 包括不同類型的週邊電晶體[2023.01] |
| H10B 41/50 | 以在核心區域和週邊電路區域之間的邊界區域為特徵[2023.01] |
| H10B 41/60 | 控制閘極是摻雜區域，例如：單多晶記憶體單元[2023.01] |
| H10B 41/70 | 懸浮閘極為被兩個或兩個以上組件共用的電極[2023.01] |
| H10B 43/00 | 具有電荷捕捉式閘極絕緣體的電子可抹拭唯讀記憶體[2023.01] |
| H10B 43/10 | 以俯視圖佈局為特徵[2023.01] |
| H10B 43/20 | 具有三維（3D）結構特徵，例如具有不同高度的單元[2023.01] |
| H10B 43/23 | 具有源極與汲極在不同位準，例如：帶有傾斜的通道[2023.01] |
| H10B 43/27 | 通道包含垂直部分，例如：U型的通道[2023.01] |
| H10B 43/30 | 以記憶體的核心區域為特徵[2023.01] |
| H10B 43/35 | 具有電晶體單元，例如：快閃記憶體(NAND)[2023.01] |
| H10B 43/40 | 以週邊的電路區域為特徵[2023.01] |
| H10B 43/50 | 以在核心和週邊的電路區域之間的邊界區域為特徵[2023.01] |
| H10B 51/00 | 具有鐵電記憶體電晶體的鐵電式隨機存取記憶體[FeRAM]元件 [2023.01] |
| H10B 51/10 | 以俯視圖佈局為特徵[2023.01] |
| H10B 51/20 | 具有三維（3D）結構特徵，例如具有不同高度的單元[2023.01] |
| H10B 51/30 | 以記憶體的核心區域為特徵[2023.01] |
| H10B 51/40 | 以週邊的電路區域為特徵[2023.01] |
| H10B 51/50 | 以在核心和週邊的電路區域之間的邊界區域為特徵[2023.01] |
| H10B 53/00 | 鐵電式隨機存取記憶體[鐵電式隨機存取記憶體]元件包含鐵電記憶體電容器[2023.01] |
| H10B 53/10 | 以俯視圖佈局為特徵[2023.01] |
| H10B 53/20 | 具有三維（3D）結構特徵，例如具有不同高度的單元[2023.01] |
| H10B 53/30 | 以記憶體的核心區域為特徵[2023.01] |
| H10B 53/40 | 以週邊的電路區域為特徵[2023.01] |
| H10B 53/50 | 以在核心和週邊的電路區域之間的邊界區域為特徵[2023.01] |
| H10B 61/00 | 磁性記憶體元件，例如：磁阻式隨機存取記憶體 [MRAM] 元件[2023.01] |
| H10B 63/00 | 電阻變化記憶體元件，例如：電阻式隨機存取記憶體 [ReRAM]單元[2023.01] |
| H10B 63/10 | 相變化隨機存取記憶體 [PCRAM,PRAM]元件[2023.01] |
| H10B 69/00 | 在H10B 41/00-H10B 63/00中未提供的可抹除及可程式唯讀記憶體 [EPROM]元件，例如：紫外線可抹除及可程式唯讀記憶體[2023.01] |
| H10B 80/00 | 其他設備之組合包括至少一個屬於本次類的記憶體單元[2023.01,2026.01] |
| H10B 99/00 | 本次類各目中不包括的技術主題[2023.01] |