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國際專利分類查詢
| H | 電學 |
|---|---|
| H10 | 半導體設備；未另行規定的電子固態設備 [2023.01] |
| H10D | 無機電子半導體裝置[2025.01] |
| H10D 1/00 | 電阻器、電容器或電感器[2025.01] |
| H10D 1/20 | 電感器[2025.01] |
| H10D 1/40 | 電阻器[2025.01] |
| H10D 1/43 | 具有PN接點的電阻器[2025.01] |
| H10D 1/47 | 無電位障電阻器[2025.01] |
| H10D 1/60 | 電容器[2025.01] |
| H10D 1/62 | 電位障電容器[2025.01] |
| H10D 1/64 | 可變電容二極體，例如變容二極體[2025.01] |
| H10D 1/66 | 導體-絕緣體-半導體電容器，如MOS電容[2025.01] |
| H10D 1/68 | 無電位障電容器[2025.01] |
| H10D 8/00 | 二極體（可變電容二極體見1/64；閘控二極體見12/00）[2025.01] |
| H10D 8/01 | 製造或處理[2025.01] |
| H10D 8/20 | 擊穿二極體，例如雪崩二極體[2025.01] |
| H10D 8/25 | 稽納二極體[2025.01] |
| H10D 8/30 | 點接觸型二極體[2025.01] |
| H10D 8/40 | 瞬時二極體，例如IMPATT 和 TRAPATT 二極體[2025.01] |
| H10D 8/50 | PIN型二極體[2025.01] |
| H10D 8/60 | 蕭特基電位障二極體[2025.01] |
| H10D 8/70 | 穿隧效應二極體[2025.01] |
| H10D 8/75 | 穿隧效應PN二極體，例如江崎二極體[2025.01] |
| H10D 8/80 | PNPN二極體，例如蕭克利二極體或擊穿二極體[2025.01] |
| H10D 10/00 | 雙極性電晶體 [BJT] [2025.01] |
| H10D 10/01 | 製造或處理[2025.01 |
| H10D 10/40 | 垂直 BJT [2025.01] |
| H10D 10/60 | 橫向BJTs [2025.01] |
| H10D 10/80 | 異質接面BJT [2025.01] |
| H10D 12/00 | 由場效應控制的雙極元件，例如絕緣閘雙極電晶體[IGBT] [2025.01] |
| H10D 12/01 | 製造或處理[2025.01] |
| H10D 18/00 | 閘流體[2025.01] |
| H10D 18/01 | 製造或處理[2025.01] |
| H10D 18/40 | 透過場效應開啟[2025.01] |
| H10D 18/60 | 閘極關斷裝置[2025.01] |
| H10D 18/65 | 透過場效應關斷[2025.01] |
| H10D 18/80 | 雙向元件，例如三端雙向可控矽開關元件[2025.01] |
| H10D 30/00 | 場效電晶體 [FET]（絕緣閘雙極電晶體 見12/00）[2025.01] |
| H10D 30/01 | 製造或處理[2025.01] |
| H10D 30/40 | 具有零維[0D]、一維[1D] 或二維[2D] 電荷載子氣通道的 FET [2025.01] |
| H10D 30/43 | 具有一維[1D]電荷載子氣通道，例如量子線場效電晶體（FET）或具有一維量子限制通道的電晶體[2025.01] |
| H10D 30/47 | 具有二維[2D]電荷載子氣體通道，例如奈米帶場效電晶體（FET）或高電子移動率電晶體[HEMT][2025.01] |
| H10D 30/60 | 絕緣閘場效電晶體[IGFET]（30/40優先）[2025.01] |
| H10D 30/62 | 鰭式場效電晶體 [FinFET] [2025.01] |
| H10D 30/63 | 立式 IGFET（H10D 30/66 優先）[2025.01] |
| H10D 30/64 | 雙擴散金屬氧化物半導體 [DMOS] FET [2025.01] |
| H10D 30/65 | 橫向DMOS [LDMOS] FET [2025.01] |
| H10D 30/66 | 垂直DMOS [LDMOS] FET [2025.01] |
| H10D 30/67 | 薄膜電晶體[TFT] [2025.01] |
| H10D 30/68 | 浮閘 IGFET [2025.01] |
| H10D 30/69 | 具有電荷捕獲閘極絕緣體的 IGFET，例如MNOS電晶體[2025.01] |
| H10D 30/80 | 具有整流接面閘電極的 FET（30/40 優先）[2025.01] |
| H10D 30/83 | 具有 PN接面閘電極的 FET [2025.01] |
| H10D 30/87 | 具有蕭特基（Schottky）閘電極的場效電晶體（FET），例如金屬半導體場效電晶體（MESFET）[2025.01] |
| H10D 44/00 | 電荷轉移裝置[2025.01] |
| H10D 44/01 | 製造或處理[2025.01] |
| H10D 44/40 | 電荷耦合元件 [CCD] [2025.01] |
| H10D 44/45 | 具有絕緣閘電極產生的場效應[2025.01] |
| H10D 48/00 | 1/00- 44/00未涵蓋的單一元件[2025.01] |
| H10D 48/01 | 製造或處理[2025.01] |
| H10D 48/04 | 具有包含未化合形式的硒或碲的主體的元件[2025.01] |
| H10D 48/042 | 基板的準備[2025.01] |
| H10D 48/043 | 硒或碲的初步處理、其在基板上的應用或組合的後續處理[2025.01] |
| H10D 48/044 | 硒或碲轉變為導電狀態[2025.01] |
| H10D 48/045 | 硒或碲層導電後的表面處理[2025.01] |
| H10D 48/046 | 提供離散絕緣層[2025.01] |
| H10D 48/047 | 將硒或碲施加到基板上之後，將電極施加到硒或碲的暴露表面的應用[2025.01] |
| H10D 48/048 | 積體元件的處理，例如透過電鑄形成阻擋層[2025.01] |
| H10D 48/049 | 老化[2025.01] |
| H10D 48/07 | 具有含氧化亞銅[Cu2O]或碘化亞銅[CuI]的主體的元件[2025.01] |
| H10D 48/30 | 由電流或電壓控制的元件[2025.01] |
| H10D 48/32 | 僅由向電極提供的電流或僅施加的電位控制的元件，該電極不攜帶待整流、放大或開關的電流[2025.01] |
| H10D 48/34 | 雙極裝置[2025.01] |
| H10D 48/36 | 單極裝置[2025.01] |
| H10D 48/38 | 僅透過向一個或多個具有待整流、放大、振盪或切換之電流的電極，提供電流或施加電位的變化來控制的裝置[2025.01] |
| H10D 48/40 | 藉由磁場控制的裝置[2025.01] |
| H10D 48/50 | 藉由機械力控制的裝置，例如：壓力[2025.01] |
| H10D 62/00 | 具有電位障之裝置的半導體本體或其區域[2025.01,2026.01] |
| H10D 62/10 | 半導體本體的區域之形狀、相對尺寸或配置；半導體本體的形狀[2025.01] |
| H10D 62/13 | 連接到載有待整流、放大或切換之電流的電極的半導體區域，例如：源極或汲極區域[2025.01] |
| H10D 62/17 | 連接到不載有待整流、放大或切換之電流的電極的半導體區域，例如：通道區域[2025.01] |
| H10D 62/40 | 晶體結構[2025.01] |
| H10D 62/50 | 物理缺陷[2025.01] |
| H10D 62/53 | 缺陷在於半導體體內[2025.01] |
| H10D 62/57 | 缺陷在於半導體本體表面，例如：具有粗糙表面的本體 [2025.01] |
| H10D 62/60 | 雜質分佈或濃度[2025.01] |
| H10D 62/80 | 特徵在於其材料[2025.01] |
| H10D 62/81 | 表現出量子限制效應的結構，例如：單一量子井；具有週期性或準週期性電位變化的結構[2025.01] |
| H10D 62/815 | 具有週期性或準週期性電位變化的結構，例如：超晶格或多量子井[MQW][2025.01] |
| H10D 62/82 | 具有週期性或準週期性電位變化的結構，例如：超晶格或多量子井[MQW][2025.01] |
| H10D 62/822 | 僅包含IV族材料的異質接面，例如：矽(Si)/鍺(Ge)異質接面[2025.01] |
| H10D 62/824 | 僅包含III-V族材料的異質接面，例如：氮化鎵(GaN)/ 氮化鋁鎵(AlGaN)異質接面[2025.01] |
| H10D 62/826 | 僅包含 II-VI族材料的異質接面，例如：碲化鎘(CdTe)/碲化汞(HgTe)異質接面[2025.01] |
| H10D 62/83 | 屬於IV族材料，例如：硼(B)摻雜矽(Si)或硼(B)未摻雜鍺(Ge)[2025.01] |
| H10D 62/832 | 包含兩種或多種元素的IV族材料，例如：矽鍺(SiGe) [2025.01] |
| H10D 62/834 | 特徵在於其摻雜物[2025.01] |
| H10D 62/84 | 僅為硒或碲[2025.01] |
| H10D 62/85 | 屬於III-V族材料，例如：砷化鎵(GaAs)[2025.01] |
| H10D 62/852 | 包含三種或更多元素的III-V族材料，例如：氮化鋁鎵(AlGaN)或砷化銦銻磷(InAsSbP)[2025.01] |
| H10D 62/854 | 特徵在於其摻雜物[2025.01] |
| H10D 62/86 | 屬於II-VI族材料，例如：氧化鋅(ZnO)[2025.01] |
| H10D 62/862 | 包含三種或多種元素的II-VI族材料，例如：碲化鎘鋅(CdZnTe)[2025.01] |
| H10D 62/864 | 特徵在於其摻雜物[2025.01] |
| H10D 64/00 | 具有電位障之裝置的電極[2025.01] |
| H10D 64/01 | 製造或處理[2025.01] |
| H10D 64/20 | 特徵在於電極的形狀、相對尺寸或配置[2025.01] |
| H10D 64/23 | 載有待整流、放大、振盪或切換電流的電極，例如：源極、汲極、陽極或陰極[2025.01] |
| H10D 64/27 | 不載有待整流、放大、振盪或切換電流的電極，例如：閘極[2025.01] |
| H10D 64/60 | 特徵在於電極的材料[2025.01] |
| H10D 64/62 | 與半導體歐姆耦合的電極[2025.01] |
| H10D 64/64 | 包含半導體蕭特基電位障的電極[2025.01] |
| H10D 64/66 | 該電極具有由絕緣體電容耦合到半導體的導體，例如：金屬-絕緣體-半導體(MIS)電極[2025.01] |
| H10D 64/68 | 特徵在於絕緣體，例如：藉由閘極絕緣體[2025.01] |
| H10D 80/00 | 多個裝置之組合，其包含至少一個本次類所涵蓋的裝置[2025.01,2026.01] |
| H10D 80/20 | 至少一個涵蓋於次目H10D 1/00至H10D 48/00的裝置，例如：包含電容器、功率場效電晶體或蕭特基二極體的零部件[2025.01,2026.01] |
| H10D 80/30 | 至少一個涵蓋於次目H10D 84/00至H10D 86/00的裝置，例如：包含積體電路處理器晶片的零部件[2025.01,2026.01] |
| H10D 84/00 | 形成在僅包含半導體層的半導體基板之中或之上的積體元件，例如：在矽(Si)晶圓或矽基砷化鎵(GaAs-on-Si)晶圓上[2025.01] |
| H10D 84/01 | 製造或處理[2025.01,2026.01] |
| H10D 84/02 | 以使用基礎材料的技術為特徵[2025.01] |
| H10D 84/03 | 使用IV族技術，例如：矽技術或碳化矽(SiC)技術[2025.01] |
| H10D 84/05 | 使用III-V族技術[2025.01] |
| H10D 84/07 | 使用II-VI族技術[2025.01] |
| H10D 84/08 | 使用技術組合，例如：同時使用矽(Si)和碳化矽(SiC)技術或同時使用矽(Si)和III-V族技術[2025.01] |
| H10D 84/40 | 其特徵在於次目H10D 12/00或H10D 30/00所涵蓋的至少一種零部件與次目H10D 10/00或H10D 18/00所涵蓋的至少一種零部件之整合，例如：絕緣閘場效電晶體(IGFET)與雙極性電晶體(BJT)的整合[2025.01] |
| H10D 84/60 | 其特徵在於次目H10D 10/00 或 H10D 18/00所涵蓋的至少一個零部件之整合，例如：雙極性電晶體(BJT)的整合（H10D 4/40優先）[2025.01] |
| H10D 84/63 | 垂直和橫向雙極性電晶體(BJT)的組合[2025.01] |
| H10D 84/65 | 積體注入邏輯[2025.01] |
| H10D 84/67 | 互補型雙極性電晶體(BJT)[2025.01] |
| H10D 84/80 | 其特徵在於次目H10D 12/00 或 H10D 30/00所涵蓋的至少一個零部件之整合，例如：絕緣閘場效電晶體(IGFET)的整合（H10D 84/40 優先）[2025.01] |
| H10D 84/82 | 僅有場效應元件[2025.01] |
| H10D 84/83 | 僅有絕緣閘場效電晶體(IGFET)[2025.01] |
| H10D 84/84 | 增強型絕緣閘場效電晶體(IGFET)和空乏型絕緣閘場效電晶體(IGFET)的組合[2025.01] |
| H10D 84/85 | 互補型絕緣閘場效電晶體(IGFET)和空乏型絕緣閘場效電晶體(IGFET)的組合[2025.01] |
| H10D 84/86 | 蕭特基能障閘極場效應電晶體[2025.01] |
| H10D 84/87 | PN接面閘極場效應電晶體[2025.01] |
| H10D 84/90 | 主截片積體電路[2025.01] |
| H10D 86/00 | 在絕緣或導電基板中或上形成的積體元件，例如：在絕緣體上矽[SOI]基板、不鏽鋼基板或玻璃基板上形成者[2025.01] |
| H10D 86/01 | 製造或處理[2025.01,2026.01] |
| H10D 86/03 | 該基板包括藍寶石，例如：藍寶石上矽[SOS][2025.01] |
| H10D 86/40 | 特徵在於複數個薄膜電晶體(TFT)[2025.01] |
| H10D 86/60 | 其中薄膜電晶體(TFT)位於主動矩陣中[2025.01] |
| H10D 86/80 | 特徵在於複數個被動元件，例如：電阻器、電容器或電感器[2025.01] |
| H10D 86/85 | 僅以被動元件為特徵[2025.01] |
| H10D 87/00 | 在同一基板上的積體裝置，其包含體元件和絕緣體上矽(SOI)或藍寶石上矽(SOS)元件[2025.01,2026.01] |
| H10D 88/00 | 三維[3D]積體裝置[2025.01,2026.01] |
| H10D 89/00 | 次目H10D 84/00至H10D 88/00中未涵蓋的積體裝置之方面[2025.01,2026.01] |
| H10D 89/10 | 積體元件的佈局[2025.01] |
| H10D 89/60 | 包括用於電或熱保護之元件的積體裝置，例如：針對靜電放電的保護電路[ESD][2025.01] |
| H10D 99/00 | 本次類各目中不包括的技術主題[2025.01] |