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國際專利分類查詢
| H | 電學 |
|---|---|
| H10 | 半導體設備；未另行規定的電子固態設備 [2023.01] |
| H10F | 對紅外線輻射、光、短波長電磁輻射或微粒輻射敏感的無機半導體元件[2025.01] |
| H10F 10/00 | 單一光伏電池，例如太陽能電池（電解光敏元件，例如:染料敏化太陽能電池，H01G 9/20) [2025.01] |
| H10F 10/10 | 具有電位障者[2025.01] |
| H10F 10/11 | 具有點接觸電位障的光伏電池（H10F 10/18優先）[2025.01] |
| H10F 10/12 | 僅具有金屬-絕緣體-半導體[MIS]電位障的光伏電池[2025.01] |
| H10F 10/13 | 具有包含漸進型能隙的吸收層的光伏電池[2025.01] |
| H10F 10/14 | 僅具有PN同質接面電位障的光伏電池[2025.01] |
| H10F 10/142 | 包含多個PN同質接面，例如：串接電池[2025.01] |
| H10F 10/144 | 僅含III-V族材料，例如：砷化鎵(GaAs)、砷化鋁鎵(AlGaAs)或磷化銦(InP)光伏電池[2025.01] |
| H10F 10/16 | 僅具有PN異質接面電位障的光伏電池[2025.01] |
| H10F 10/161 | 包含多個PN異質接面，例如：串接電池[2025.01] |
| H10F 10/162 | 僅包含II-VI族材料，例如：硫化鎘(CdS)和碲化鎘(CdTe)光伏電池[2025.01] |
| H10F 10/163 | 僅包含III-V族材料，例如：砷化鎵(GaAs)和砷化鋁鎵(AlGaAs)或磷化銦(InP)和砷化銦鎵(GaInAs)光伏電池[2025.01] |
| H10F 10/164 | 含有IV族材料的異質接面，例如：氧化銦錫(ITO)和矽(Si)或砷化鎵(GaAs)和矽鍺(SiGe)光伏電池[2025.01] |
| H10F 10/165 | 該異質接面為IV-IV族異質接面，例如：矽(Si)和鍺(Ge)、矽鍺(SiGe)和矽(Si)或矽(Si)和碳化矽(SiC)光伏電池[2025.01] |
| H10F 10/166 | IV-IV族異質接面為晶體和非晶材的異質接面，例如：矽異質接面[SHJ]光伏電池[2025.01] |
| H10F 10/167 | 包含I-III-VI族材料，例如：硫化鎘(CdS)和銅銦硒[CIS]異質接面光伏電池[2025.01] |
| H10F 10/17 | 僅有PIN接面電位障的光伏電池[2025.01] |
| H10F 10/172 | 包含多個PIN連接，例如：串接電池[2025.01] |
| H10F 10/174 | 包括單晶或多晶材料[2025.01] |
| H10F 10/18 | 僅有蕭特基電位障的光伏電池[2025.01] |
| H10F 10/19 | 具有多個不同類型之電位障的光伏電池，例如：同時具有PN和PIN接面的串接電池[2025.01] |
| H10F 19/00 | 積體裝置或多個裝置的組合，包括至少一個涵蓋於次目H10F 10/00的光伏電池，例如：光伏模組[2025.01] |
| H10F 19/10 | 包括在單一半導體基板中的光伏電池陣列，該光伏電池具有垂直接面或V形槽接面[2025.01] |
| H10F 19/20 | 包括在單一半導體基板中或上的光伏電池陣列，該光伏電池具有平面接面（具有沉積在同一基板上的多個薄膜光伏電池，參見 H10F 19/31）[2025.01] |
| H10F 19/30 | 包括薄膜光伏電池[2025.01] |
| H10F 19/31 | 在同一基板上沉積多個橫向相鄰的薄膜光伏電池[2025.01] |
| H10F 19/33 | 連接光伏電池的圖案化工藝，例如：導電層或活性層的雷射切割[2025.01] |
| H10F 19/35 | 用於連接相鄰光伏電池的結構，例如：互連或絕緣間隔件[2025.01] |
| H10F 19/37 | 包括用於透過積體裝置或多個裝置之組件獲得部分光透射的裝置，例如：用於窗戶的部分透明薄膜光伏模組[2025.01] |
| H10F 19/40 | 包括使用機械堆疊結構的光伏電池[2025.01] |
| H10F 19/50 | 包含至少一個光伏電池和其他類型之半導體或固態組件的積體裝置（H10F 19/75優先）[2025.01] |
| H10F 19/70 | 包括旁路二極體（接線盒中的旁路二極體，參見H02S 40/34）[2025.01] |
| H10F 19/75 | 旁路二極體與光伏電池整合或直接連接，例如：形成在同一基板中或同一基板上[2025.01] |
| H10F 19/80 | 用於具有光伏電池之積體裝置或多設備組件的封裝或容器[2025.01] |
| H10F 19/85 | 保護背板[2025.01] |
| H10F 19/90 | 用於光伏電池之間連接的結構，例如：互連或絕緣間隔件（單一基板上之薄膜光伏電池間的連接結構，參見H10F 19/35） [2025.01] |
| H10F 30/00 | 單一對輻射敏感的半導體裝置，其中由輻射控制流經裝置的電流，例如：光電偵測器[2025.01] |
| H10F 30/10 | 對紅外線輻射、可見光或紫外線輻射敏感且沒有電位障的裝置，例如：光敏電阻[2025.01] |
| H10F 30/20 | 具有電位障的裝置，例如：光電晶體[2025.01] |
| H10F 30/21 | 對紅外線、可見光或紫外線輻射敏感的裝置[2025.01] |
| H10F 30/22 | 僅具有一個電位障的裝置，例如：光電二極體[2025.01] |
| H10F 30/221 | 為PN同質接面型電位障[2025.01] |
| H10F 30/222 | 為PN異質接面型電位障[2025.01] |
| H10F 30/223 | 為PIN電位障[2025.01] |
| H10F 30/225 | 以雪崩模式工作的電位障，例如：雪崩光電二極體[2025.01] |
| H10F 30/227 | 為蕭特基型電位障[2025.01] |
| H10F 30/24 | 僅具有兩個電位障的裝置，例如：雙極光電電晶體[2025.01] |
| H10F 30/26 | 具有三個或更多電位障的裝置，例如：光控閘流體[2025.01] |
| H10F 30/28 | 以場效應操作為特徵的裝置，例如：接面型場效應光電電晶體[2025.01] |
| H10F 30/282 | 絕緣閘場效電晶體[IGFET]，例如：MISFET[金屬-絕緣體-半導體場效電晶體]光電電晶體[2025.01] |
| H10F 30/29 | 對波長非常短之輻射敏感的裝置，例如：X 射線、伽馬射線或粒子輻射[2025.01] |
| H10F 30/292 | 體效應輻射探測器，例如：Ge-Li補償PIN伽瑪射線探測器[2025.01] |
| H10F 30/295 | 表面電位障或淺PN接面輻射探測器，例如：表面電位障α粒子探測器[2025.01] |
| H10F 30/298 | 以場效應工作為特徵的裝置，例如：MIS型探測器[2025.01] |
| H10F 39/00 | 積體裝置或多個裝置的組件，包括至少一個涵蓋於次目H10F 30/00的元件，例如：包括光電二極體陣列的輻射探測器[2025.01] |
| H10F 39/10 | 積體裝置 [2025.01] |
| H10F 39/12 | 影像感測器[2025.01] |
| H10F 39/15 | 電荷耦合元件[CCD]影像感測器[2025.01] |
| H10F 39/18 | 互補金屬氧化物半導體[CMOS]影像感測器；光電二極體陣列影像感測器[2025.01] |
| H10F 39/90 | 多個裝置之組合[2025.01,2026.01] |
| H10F 39/95 | 包括至少一個涵蓋於次目H10F 39/10的積體裝置，例如：包括整合式影像感測器[2025.01,2026.01] |
| H10F 55/00 | 由次目H10F 10/00、H10F 19/00或H10F 30/00所涵蓋的對輻射敏感之半導體裝置，其在結構上與電光源相連並與其電或光耦合[2025.01] |
| H10F 55/10 | 其中由對輻射敏感之半導體裝置控制電光源，例如：影像轉換器、影像放大器或影像儲存裝置[2025.01] |
| H10F 55/15 | 其中對輻射敏感之裝置及電光源均為半導體裝置[2025.01] |
| H10F 55/155 | 形成在共用基板中或共用基板上[2025.01] |
| H10F 55/20 | 其中由電光源控制對輻射敏感之半導體裝置，例如：光耦合器[2025.01] |
| H10F 55/25 | 其中對輻射敏感之裝置及電光源均為半導體裝置[2025.01] |
| H10F 55/255 | 形成在共用基板中或共用基板上[2025.01] |
| H10F 71/00 | 本次類所涵蓋之裝置的製造或處理（用於連接具有光伏電池之積體裝置或多個裝置之組件中的薄光伏電池的圖案化工藝，參見H10F 19/33；製造或處理用於具有光伏電池之積體裝置或多個裝置之組件的封裝或容器，參見H10F 19/80；積體裝置或多個裝置之組件的製造或處理，其中至少包含一個由輻射控制電流流動的元件，參見H10F 39/00)[2025.01] |
| H10F 71/10 | 包含非晶態半導體材料的裝置[2025.01] |
| H10F 77/00 | 本次類涵蓋之裝置的結構細節（積體裝置或多個裝置之組件的結構細節，包括至少一個由輻射控制電流流動的元件 H10F 39/00）[2025.01] |
| H10F 77/10 | 半導體本體[2025.01] |
| H10F 77/12 | 活性材料 [2025.01] |
| H10F 77/121 | 僅含硒或僅含碲[2025.01] |
| H10F 77/122 | 僅包含IV族材料[2025.01] |
| H10F 77/1223 | 特徵在於其摻雜物[2025.01] |
| H10F 77/1226 | 包含多種IV族元素，例如：碳化矽(SiC)[2025.01] |
| H10F 77/123 | 僅包含II-VI族材料，例如：硫化鎘(CdS)、硫化鋅(ZnS) 或 碲镉汞(HgCdTe)[2025.01] |
| H10F 77/124 | 僅包含 III-V族材料，例如：砷化鎵(GaAs)[2025.01] |
| H10F 77/14 | 半導體本體的形狀；半導體本體內半導體區域的形狀、相對尺寸或配置[2025.01] |
| H10F 77/16 | 材料結構，例如：晶體結構、薄膜結構或晶面取向[2025.01] |
| H10F 77/162 | 非單晶材料，例如：嵌入絕緣材料中的半導體顆粒（H10F 77/169優先） [2025.01] |
| H10F 77/164 | 多晶半導體[2025.01] |
| H10F 77/166 | 非晶態半導體[2025.01] |
| H10F 77/169 | 金屬或絕緣基板上的半導體薄膜[2025.01] |
| H10F 77/20 | 電極 [2025.01] |
| H10F 77/30 | 塗層（防止粒子輻射對光伏電池造成損害的配置，參見77/80） [2025.01] |
| H10F 77/40 | 光學元件或裝置（表面紋理，參見77/70） [2025.01] |
| H10F 77/42 | 與光伏電池直接連接或整合，例如：光反射裝置或聚光裝置[2025.01] |
| H10F 77/45 | 波長轉換方式，例如：藉由使用發光材料、螢光聚光器或上轉換裝置[2025.01] |
| H10F 77/48 | 背反射鏡[BSR][2025.01] |
| H10F 77/50 | 封裝或容器（用於光伏模組，參見19/80）[2025.01] |
| H10F 77/60 | 冷卻、加熱、通風或補償溫度波動的配置[2025.01] |
| H10F 77/63 | 與光伏電池直接連接或與之整合的冷卻裝置，例如：與光伏電池直接連接的散熱器或用於主動冷卻的整合式珀耳帖元件[2025.01] |
| H10F 77/67 | 包括利用與光伏電池直接連接的熱能裝置，例如：整合式塞貝克元件[2025.01] |
| H10F 77/70 | 表面紋理，例如：金字塔結構[2025.01] |
| H10F 77/80 | 防止由粒子輻射引起光伏電池損壞的配置，例如：用於空間應用[2025.01] |
| H10F 77/90 | 與光伏電池直接連接或整合的儲能裝置，例如：與光伏電池整合的電容器[2025.01] |
| H10F 99/00 | 本次類各目中不包括的技術主題[2025.01] |