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國際專利分類查詢
| H | 電學 |
|---|---|
| H10 | 半導體設備;未另行規定的電子固態設備 [2023.01] |
| H10N | 其他未另行規定的電子固態元件[2023.01] |
| H10N 10/00 | 包含由相異材料組成之連接處的熱電元件,例如表現出賽貝克或珀爾帖效應的元件(集成元件或多個元件的組合見H10N 19/00) [2023.01] |
| H10N 10/01 | 製造或處理[2023.01] |
| H10N 10/10 | 僅使用賽貝克或珀爾帖效應操作[2023.01] |
| H10N 10/13 | 以在連接處的熱交換方式為特徵[2023.01] |
| H10N 10/17 | 以構成電池元件或熱電偶元件的結構或構造為特徵[2023.01] |
| H10N 10/80 | 結構細節[2023.01] |
| H10N 10/81 | 連接處的結構細節[2023.01] |
| H10N 10/813 | 連接處是可分離的,例如:使用彈簧[2023.01] |
| H10N 10/817 | 連接處是不可分離的,例如:黏合、燒結或焊接[2023.01] |
| H10N 10/82 | 互連 |
| H10N 10/85 | 熱電活性材料[2023.01] |
| H10N 10/851 | 包含無機組合物[2023.01] |
| H10N 10/852 | 包含碲、硒或硫[2023.01] |
| H10N 10/853 | 包含砷、銻或鉍(H10N 10/852 優先)[2023.01] |
| H10N 10/854 | 僅包含金屬(H10N 10/852、H10N 10/853 優先)[2023.01] |
| H10N 10/855 | 包含含有硼、碳、氧或氮的化合物[2023.01] |
| H10N 10/856 | 包含有機組合物[2023.01] |
| H10N 10/857 | 包含在材料內部連續或不連續變化的成分[2023.01] |
| H10N 15/00 | 無相異材料組成之連接處的熱電元件;熱磁元件,例如:使用能斯特-艾廷斯豪森效應(集成元件或多個元件的組合見 H10N 19/00) [2023.01] |
| H10N 15/10 | 利用介電常數熱變化的熱電元件,例如:在居里點以上和以下工作[2023.01] |
| H10N 15/20 | 利用導磁率熱變化的熱磁元件,例如:在居里點以上和以下工作[2023.01] |
| H10N 19/00 | 集成元件或多個元件的組合,其至少包含一個由H10N 10/00-H10N 15/00所涵蓋的熱電或熱磁元件 [2023.01,2026.01] |
| H10N 30/00 | 壓電或電致伸縮元件(集成元件或多個元件的組合見H10N 39/00) [2023.01] |
| H10N 30/01 | 製造或處理[2023.01] |
| H10N 30/02 | 成型外殼或套管[2023.01] |
| H10N 30/03 | 包括壓電或電伸縮零件的組裝元件[2023.01] |
| H10N 30/04 | 改變壓電或電致伸縮特性的處理方法,例如:偏振特性、振動特性或模式調整[2023.01] |
| H10N 30/045 | 通過偏振[2023.01] |
| H10N 30/05 | 多層壓電或電致伸縮元件或其零件的製造,例如:透過堆疊壓電體和電極[2023.01] |
| H10N 30/053 | 由整體燒結壓電或電致伸縮體和電極者[2023.01] |
| H10N 30/057 | 由堆疊塊狀壓電或電致伸縮體和電極者[2023.01] |
| H10N 30/06 | 形成電極或互連,例如:導線或端子[2023.01] |
| H10N 30/063 | 形成互連,例如多層壓電或電致伸縮零件的連接電極[2023.01] |
| H10N 30/067 | 形成多層壓電或電致伸縮部件的單層電極[2023.01] |
| H10N 30/07 | 在電氣元件或其他基板上形成壓電或電致伸縮零件或主體[2023.01] |
| H10N 30/071 | 將壓電或電致伸縮部件與半導體元件或其他電路元件一起安裝在共用基板上[2023.01] |
| H10N 30/072 | 由壓電體或電致伸縮體的壓合或黏合者[2023.01] |
| H10N 30/073 | 由金屬熔合或黏合劑者[2023.01] |
| H10N 30/074 | 由沉積壓電或電致伸縮層者,例如:噴霧或網板印刷[2023.01] |
| H10N 30/076 | 由氣相沉積者[2023.01] |
| H10N 30/077 | 由液相沉積者[2023.01] |
| H10N 30/078 | 由溶膠凝膠沉積者[2023.01] |
| H10N 30/079 | 使用中間層,例如:用於生長控制[2023.01] |
| H10N 30/08 | 壓電體或電致伸縮體的成型或加工[2023.01] |
| H10N 30/081 | 使用遮罩進行鍍覆或沉積者,例如:剝離成形法[2023.01] |
| H10N 30/082 | 由蝕刻者,例如:微影製程法[2023.01] |
| H10N 30/084 | 由模塑或擠壓者[2023.01] |
| H10N 30/085 | 由機械加工者[2023.01] |
| H10N 30/086 | 由拋光或研磨加工者[2023.01] |
| H10N 30/088 | 由切削或切割加工者[2023.01] |
| H10N 30/089 | 由沖壓加工者[2023.01] |
| H10N 30/09 | 形成壓電或電致伸縮材料[2023.01] |
| H10N 30/092 | 形成複合材料[2023.01] |
| H10N 30/093 | 形成無機材料[2023.01] |
| H10N 30/095 | 由熔化者[2023.01] |
| H10N 30/097 | 由燒結者[2023.01] |
| H10N 30/098 | 形成有機材料[2023.01] |
| H10N 30/20 | 具有電氣輸入和機械輸出,例如:用作致動器或振動器[2023.01] |
| H10N 30/30 | 具有機械輸入和電氣輸出,例如:用作發電機或感測器[2023.01] |
| H10N 30/40 | 具有電氣輸入和電氣輸出,例如:用作變壓器[2023.01] |
| H10N 30/50 | 具有堆疊或多層結構者[2023.01] |
| H10N 30/60 | 具有同軸電纜結構者[2023.01] |
| H10N 30/80 | 結構細節 [2023.01] |
| H10N 30/85 | 壓電或電致伸縮活性材料[2023.01] |
| H10N 30/853 | 陶瓷組合物材料[2023.01] |
| H10N 30/857 | 大分子組合物材料[2023.01] |
| H10N 30/87 | 電極或互連,例如:導線或端子[2023.01] |
| H10N 30/88 | 安裝;支撐;機殼;外殼[2023.01] |
| H10N 35/00 | 磁致伸縮裝置 (集成元件或多個元件的組合見H10N 39/00) [2023.01] |
| H10N 35/01 | 製造或處理 [2023.01] |
| H10N 35/80 | 結構細節[2023.01] |
| H10N 35/85 | 磁致伸縮活性材料[2023.01] |
| H10N 39/00 | 集成元件或多個元件的組合,其至少包含一個由H10N 30/00-H10N 35/00所涵蓋的壓電、電致伸縮或磁致伸縮元件 [2023.01,2026.01] |
| H10N 50/00 | 電磁鐵元件(霍爾效應元件 H10N 52/00;集成元件或多個元件的組合見H10N 59/00) [2023.01] |
| H10N 50/01 | 製造或處理 [2023.01] |
| H10N 50/10 | 磁阻元件[2023.01] |
| H10N 50/20 | 自旋極化電流控制元件(磁阻元件見 H10N 50/10)[2023.01] |
| H10N 50/80 | 結構細節 [2023.01] |
| H10N 50/85 | 活性區域的材料[2023.01] |
| H10N 52/00 | 霍爾效應元件(集成元件或多個元件的組合見 H10N 59/00) [2023.01] |
| H10N 52/01 | 製造或處理 [2023.01] |
| H10N 52/80 | 結構細節 [2023.01] |
| H10N 52/85 | 活性區域的材料[2023.01] |
| H10N 59/00 | 集成元件或多個元件的組合,其至少包含一個由 H10N 50/00-H10N 52/00 所涵蓋的電磁鐵或霍爾效應元件(磁阻式隨機存取記憶體元件見 H10B 61/00)[2023.01,2026.01] |
| H10N 60/00 | 超導元件(集成元件或多個元件的組合見 H10N 69/00)[2023.01] |
| H10N 60/01 | 製造或處理 [2023.01] |
| H10N 60/10 | 基於連接處的元件[2023.01] |
| H10N 60/12 | 約瑟夫森效應元件[2023.01] |
| H10N 60/20 | 永久性超導元件[2023.01] |
| H10N 60/30 | 可在超導和正常狀態之間切換的元件[2023.01] |
| H10N 60/35 | 冷子管[2023.01] |
| H10N 60/355 | 動力冷子管[2023.01] |
| H10N 60/80 | 結構細節 [2023.01] |
| H10N 60/81 | 容器;安裝[2023.01] |
| H10N 60/82 | 電流路徑[2023.01] |
| H10N 60/83 | 元件形狀[2023.01] |
| H10N 60/84 | 使裝置可在超導狀態和正常狀態之間轉換的切換元件 [2023.01] |
| H10N 60/85 | 超導活性材料[2023.01] |
| H10N 69/00 | 集成元件或多個元件的組合,其至少包含一個由 H10N 60/00 所涵蓋的超導元件[2023.01,2026.01] |
| H10N 70/00 | 沒有電位障的固態元件,特別適用於整流、放大、振盪或開關(集成元件或多個元件的組合見 H10N 79/00)[2023.01] |
| H10N 70/10 | 固態行進波元件[2023.01] |
| H10N 70/20 | 多穩態開關設備,例如:憶阻器[2023.01] |
| H10N 79/00 | 集成元件或多個元件的組合,其至少包含一個由 H10N 70/00 所涵蓋的固態元件(電阻式隨機存取記憶體元件見 H10B 63/00;相變化記憶體元件見 H10B 63/10)[2023.01,2026.01] |
| H10N 80/00 | 高負阻抗效應元件(集成元件或多個元件的組見 H10N 89/00)[2023.01] |
| H10N 80/10 | 剛氏效應[2023.01] |
| H10N 89/00 | 集成元件或多個元件的組合,其至少包含一個由 H10N 80/00 所涵蓋的高負阻抗效應元件[2023.01,2026.01] |
| H10N 97/00 | 未另外規定的電子固態薄膜或厚膜元件[2023.01] |
| H10N 99/00 | 本次類各目中不包括之技術主題[2023.01] |