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國際專利分類查詢
| H | 電學 |
|---|---|
| H10 | 半導體設備；未另行規定的電子固態設備 [2023.01] |
| H10P | 適用於H10類所涵蓋裝置之製造或處理的一般製程或設備 [2026.01] |
| H10P 10/00 | 晶圓、基板或裝置的零部件之鍵合 [2026.01] |
| H10P 14/00 | 材料的形成，例如層狀或柱狀[2026.01] |
| H10P 14/20 | 半導體材料[2026.01] |
| H10P 14/22 | 使用物理沉積，例如真空沉積或濺鍍 [2026.01] |
| H10P 14/24 | 使用化學氣相沉積 [CVD] [2026.01] |
| H10P 14/26 | 使用液態沉積 [2026.01] |
| H10P 14/40 | 導電或電阻材料[2026.01] |
| H10P 14/42 | 使用氣體或蒸汽 [2026.01] |
| H10P 14/43 | 化學沉積，例如化學氣相沉積 [CVD] [2026.01] |
| H10P 14/44 | 物理氣相沉積 [PVD] [2026.01] |
| H10P 14/45 | 濺鍍 [2026.01] |
| H10P 14/46 | 使用液體 [2026.01] |
| H10P 14/47 | 電解沉積，即電鍍；無電極電鍍 [2026.01] |
| H10P 14/60 | 絕緣材料 [2026.01] |
| H10P 14/61 | 使用光罩 [2026.01] |
| H10P 14/68 | 有機材料，例如光阻 [2026.01] |
| H10P 14/69 | 無機材料 [2026.01] |
| H10P 14/692 | 由氧化物、類玻璃氧化物或氧化物基玻璃組成[2026.01] |
| H10P 14/694 | 由氮化物組成 [2026.01] |
| H10P 30/00 | 對晶圓、基板或裝置的零部件進行離子佈植[2026.01] |
| H10P 30/20 | 導入至半導體材料中，例如用於摻雜 [2026.01] |
| H10P 30/22 | 使用光罩 [2026.01] |
| H10P 30/28 | 其特徵為一退火步驟，例如用於活化摻雜物 [2026.01] |
| H10P 30/40 | 導入至絕緣材料中[2026.01] |
| H10P 32/00 | 對晶圓、基板或裝置的零部件進行離子佈植[2026.01] |
| H10P 32/10 | 摻雜物在晶圓、基板或裝置零部件中擴散、導入或移出過程（於材料形成階段H10P 14/00）[2026.01] |
| H10P 32/12 | 在固相與氣相之間 [2026.01] |
| H10P 32/14 | 在固相的單一半導體本體或層內；在固相的不同半導體本體或層之間[2026.01] |
| H10P 32/16 | 固相與液相之間[2026.01] |
| H10P 32/20 | 絕緣層的摻雜擴散[2026.01] |
| H10P 32/30 | 導電層或電阻層的摻雜擴散[2026.01] |
| H10P 34/00 | 對晶圓、基板或裝置的零部件進行電磁或粒子輻射的照射[2026.01] |
| H10P 34/20 | 用於誘發核反應，以嬗變化學元素[2026.01] |
| H10P 34/40 | 使用高能輻射[2026.01] |
| H10P 34/42 | 使用電磁輻射，例如雷射退火（雷射切割54/20）[2026.01] |
| H10P 36/00 | 在半導體本體內部的吸雜[2026.01] |
| H10P 36/20 | 本質吸雜，即藉由矽本體中的氧透過熱處理誘導缺陷[2026.01] |
| H10P 50/00 | 對晶圓、基板或裝置零部件進行蝕刻[2026.01] |
| H10P 50/20 | 乾式蝕刻；電漿蝕刻；反應性離子蝕刻 [2026.01] |
| H10P 50/24 | 半導體材料[2026.01] |
| H10P 50/26 | 導電或電阻材料 [2026.01] |
| H10P 50/28 | 絕緣材料[2026.01] |
| H10P 50/60 | 濕式蝕刻 [2026.01] |
| H10P 50/61 | 電解蝕刻 [2026.01] |
| H10P 50/64 | 半導體材料 [2026.01] |
| H10P 50/66 | 導電或電阻材料[2026.01] |
| H10P 50/68 | 絕緣材料[2026.01] |
| H10P 52/00 | 對晶圓、基板或裝置零部件進行研磨、研磨拋光或拋光[2026.01] |
| H10P 52/20 | 機電拋光 [EMP]；電化學機械拋光 [ECMP] [2026.01] |
| H10P 52/40 | 化學機械拋光 [CMP]（電化學機械拋光 H10P 52/20）[2026.01] |
| H10P 54/00 | 對晶圓、基板或裝置零部件的切割或分離 [2026.01] |
| H10P 54/20 | 透過雷射切割 [2026.01] |
| H10P 54/30 | 透過形成弱化區以進行後續的切割或分離，例如透過雷射處理或離子佈植 [2026.01] |
| H10P 54/40 | 透過鋸切，例如使用旋轉或往復式刀片 [2026.01] |
| H10P 54/50 | 透過劃片、斷裂或劈裂 [2026.01] |
| H10P 54/90 | 輔助製程或配置 [2026.01] |
| H10P 54/92 | 在切割或分離期間，用於保護或加強晶圓或基板的表面，例如使用黏性膠帶 [2026.01] |
| H10P 54/94 | 後處理，例如移除黏性膠帶或支撐物 [2026.01] |
| H10P 56/00 | 對晶圓、基板或裝置零部件的脫鍵[2026.01] |
| H10P 58/00 | 將晶圓或基板單片化為多個晶片，即切割[2026.01] |
| H10P 70/00 | 對晶圓、基板或裝置零部件進行清洗 [2026.01] |
| H10P 72/00 | 在製造或處理晶圓、基板或零部件過程中的搬運或夾持[2026.01] |
| H10P 72/10 | 使用專門適配的載具，例如前開式晶圓傳送盒 [FOUP] [2026.01] |
| H10P 72/30 | 傳送，例如在不同工作站之間 [2026.01] |
| H10P 72/50 | 用於定位、定向或對準[2026.01] |
| H10P 72/70 | 用於支撐或夾持 [2026.01] |
| H10P 72/72 | 使用靜電吸盤 [2026.01] |
| H10P 72/76 | 使用機械方式，例如夾具或鉗夾 [2026.01] |
| H10P 72/78 | 使用真空或吸力，例如白努利吸盤 [2026.01] |
| H10P 74/00 | 在製造或處理晶圓、基板或零部件過程中測試或量測 [2026.01] |
| H10P 74/20 | 其特徵為所測試或量測的性質，例如結構或電氣性質 [2026.01] |
| H10P 76/00 | 在半導體本體上製造或處理光罩，例如透過微影或光學微影 [2026.01] |
| H10P 76/20 | 包含有機材料之光罩[2026.01] |
| H10P 76/40 | 包含無機材料之光罩[2026.01] |
| H10P 90/00 | 未另外規定的晶圓準備，例如晶圓加固[2026.01] |
| H10P 95/00 | 未另外規定之用於製造或處理的通用製程或設備[2026.01] |
| H10P 95/40 | 用於改變半導體本體內部特性的處理方法，例如產生內部缺陷[2026.01] |
| H10P 95/60 | 機械處理，例如超音波處理[2026.01] |
| H10P 95/70 | 化學處理[2026.01] |
| H10P 95/80 | 電氣處理，例如用於電鑄成形[2026.01] |
| H10P 95/90 | 熱處理，例如退火或燒結[2026.01] |