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共129筆資料
H 電學
H10 半導體設備;未另行規定的電子固態設備 [2023.01]
H10W 適用於H10類所涵蓋的通用封裝、互連結構、連接器或其他結構細節[2026.01]
H10W 10/00 積體裝置零部件之間的半導體本體隔離區域 [2026.01]
H10W 10/10 由介電材料構成的隔離區域 [2026.01]
H10W 10/13 以矽的局部氧化(LOCOS)形成,例如SILO(密封界面局部氧化)或SWAMI(側壁遮罩隔離)[2026.01]
H10W 10/17 由介電材料填充溝槽形成,例如STI(淺溝槽隔離)[2026.01]
H10W 10/20 空氣間隙[2026.01]
H10W 10/30 包含PN接面的隔離區域[2026.01]
H10W 10/40 包含多晶半導體材料的隔離區域[2026.01]
H10W 10/50 場效應隔離區域[2026.01]
H10W 15/00 積體裝置的高摻雜埋層[2026.01]
H10W 20/00 晶片、晶圓或基板中的互連結構[2026.01]
H10W 20/20 晶圓或基板內部的互連結構,例如矽穿孔[TSV] [2026.01]
H10W 20/40 晶圓或基板外部的互連結構,例如後端製程 [BEOL] 金屬化或連接至閘極電極的通孔[2026.01]
H10W 20/41 以其導電部分為特徵[2026.01]
H10W 20/42 貫孔,例如貫孔插塞[2026.01]
H10W 20/43 互連結構佈局[2026.01]
H10W 20/44 互連結構的導電材料[2026.01]
H10W 20/45 特徵在於絕緣部分 [2026.01]
H10W 20/46 包含氣隙[2026.01]
H10W 20/47 包含具有不同特性的兩層或多層介電層,例如不同介電常數[2026.01]
H10W 20/48 互連結構結構之絕緣材料[2026.01]
H10W 20/49 可調適的互連結構,例如熔絲或反熔絲[2026.01]
H10W 29/00 其他未另外規定的積體裝置之通用零部件[2026.01]
H10W 40/00 用於熱保護或控制之配置(包含熱保護配置之積體裝置,見H10D 89/60)[2026.01]
H10W 40/10 用於加熱的配置[2026.01]
H10W 40/20 用於冷卻的配置[2026.01]
H10W 40/22 以形狀為特徵者,例如具有錐形或圓柱形突出部[2026.01]
H10W 40/25 以材料為特徵者[2026.01]
H10W 40/28 包含帕耳帖冷卻器者[2026.01]
H10W 40/30 封裝裝置完全浸沒於非空氣之流體中者,例如浸沒於超低溫流體中[2026.01]
H10W 40/40 藉由流動流體進行熱交換者 [2026.01]
H10W 40/43 藉由流動氣體者,例如強制空氣冷卻[2026.01]
H10W 40/47 藉由流動液體者,例如強制水冷卻[2026.01]
H10W 40/50 用於感測溫度的配置[2026.01]
H10W 40/60 用於可拆卸加熱或冷卻配置的固定裝置,例如夾具[2026.01]
H10W 40/70 容器或封裝內用於熱保護或控制之填充物或輔助部件[2026.01]
H10W 40/73 藉由相變進行冷卻者[2026.01]
H10W 40/77 以形狀為特徵之輔助構件[2026.01]
H10W 40/80 用於封裝的熱保護或熱管理之電路配置[2026.01]
H10W 42/00 用於裝置保護的配置(用於熱保護的配置,見40/00)[2026.01]
H10W 42/20 用於防止電磁或粒子輻射,例如光、X射線、伽馬射線或電子[2026.01]
H10W 42/25 用於防止阿爾法射線,例如用於外層空間應用[2026.01]
H10W 42/40 防止篡改,例如未經授權之檢查或逆向工程[2026.01]
H10W 42/60 防護靜電荷或放電者,例如法拉第屏蔽(包含電保護配置的積體裝置,見H10D 89/60)[2026.01]
H10W 42/80 防止過電流或過載,例如保險絲或分流器(包含電保護配置的積體裝置,見H10D 89/60)[2026.01]
H10W 44/00 用於控制或匹配阻抗的電路配置[2026.01]
H10W 44/20 用於高頻[HF]或射頻[RF][2026.01]
H10W 46/00 應用於裝置的標記,例如用於對準或識別[2026.01]
H10W 70/00 封裝基板;中介層;再分布層[RDL][2026.01]
H10W 70/01 製造或處理[2026.01]
H10W 70/02 作為互連結構的導電封裝基板,例如金屬板(導線框架的製造或處理,見70/04)[2026.01]
H10W 70/04 導線框架[2026.01]
H10W 70/05 絕緣或已絕緣的封裝基板、中介層或再分布層(導線框架的製造或處理 H10W 70/04)[2026.01]
H10W 70/06 使用臨時輔助支架[2026.01]
H10W 70/08 藉由在晶片或晶圓上沉積層,例如「晶片優先」之再分布層 [RDL] [2026.01]
H10W 70/09 延伸至側面包圍晶片或晶圓的封裝,例如扇出型晶圓級封裝 [FOWLP]之再分布層[RDL] [2026.01]
H10W 70/20 作為互連結構的導電封裝基板,例如金屬板(導線框架,見70/40)[2026.01]
H10W 70/40 導線框架[2026.01]
H10W 70/60 絕緣或已絕緣的封裝基板;中介層;再分布層(導線框架,見70/40)[2026.01]
H10W 70/62 以其互連結構為特徵[2026.01]
H10W 70/63 貫孔,例如貫孔插塞[2026.01]
H10W 70/65 互連結構的形狀或佈局 [2026.01]
H10W 70/652 橫截面形狀[2026.01]
H10W 70/654 俯視型佈局[2026.01]
H10W 70/655 扇出型佈局[2026.01]
H10W 70/656 扇入型佈局[2026.01]
H10W 70/66 其導電材料[2026.01]
H10W 70/67 以其絕緣層或絕緣部件為特徵[2026.01]
H10W 70/68 其形狀或佈置 [2026.01]
H10W 70/685 包含多個絕緣層[2026.01]
H10W 70/69 其絕緣材料[2026.01]
H10W 70/692 陶瓷或玻璃[2026.01]
H10W 70/695 有機材料[2026.01]
H10W 70/698 電絕緣的半導體材料,例如未摻雜矽[2026.01]
H10W 72/00 封裝中的互連結構或連接器[2026.01]
H10W 72/20 凸點連接器,例如焊料凸點或銅柱;虛設凸點;熱凸點[2026.01]
H10W 72/29 專用鍵合墊[2026.01]
H10W 72/30 裸晶貼附連接器[2026.01]
H10W 72/40 異向性導電膠[2026.01]
H10W 72/49 專用鍵合墊[2026.01]
H10W 72/50 鍵合線[2026.01]
H10W 72/59 專用鍵合墊[2026.01]
H10W 72/60 帶狀連接器,例如用於功率元件接地的厚銅夾片[2026.01]
H10W 72/90 通用鍵合墊[2026.01]
H10W 74/00 封裝層,例如保護塗層[2026.01]
H10W 74/01 製造或處理[2026.01]
H10W 74/10 特徵在於其形狀或配置[2026.01]
H10W 74/15 用於覆晶裝置之主動表面上,例如底填材料[2026.01]
H10W 74/40 特徵在於其材料 [2026.01]
H10W 74/43 包含氧化物、氮化物或碳化物,例如陶瓷或玻璃[2026.01]
H10W 74/47 包含有機材料,例如塑料或樹脂[2026.01]
H10W 76/00 容器;填充物或輔助部件;密封件[2026.01]
H10W 76/01 製造或處理[2026.01]
H10W 76/05 在容器中提供填充物,例如填充氣體[2026.01]
H10W 76/10 容器或其零部件[2026.01]
H10W 76/12 特徵在於其形狀[2026.01]
H10W 76/13 包含用作互連結構之導電基座的容器[2026.01]
H10W 76/132 通過導電基板中的絕緣通道的其他互連結構[2026.01]
H10W 76/134 平行於導電基板的其他互連結構[2026.01]
H10W 76/136 垂直於導電基板的其他互連結構[2026.01]
H10W 76/138 具有由一平行於該導電基座之覆蓋板所形成的另一互連結構,例如夾層型[2026.01]
H10W 76/15 包含絕緣或已絕緣基座的容器[2026.01]
H10W 76/153 具有在該絕緣或已絕緣基座中之通道內的互連結構[2026.01]
H10W 76/157 具有平行於該絕緣或已絕緣基座的互連結構[2026.01]
H10W 76/17 特徵在於其材料 [2026.01]
H10W 76/18 絕緣材料,如樹脂、玻璃或陶瓷[2026.01]
H10W 76/40 容器填充物或輔助元件,例如定位環(用於容器或封裝層中之熱保護或熱控制的填充物或輔助部件,見40/70[2026.01]
H10W 76/42 填充物[2026.01]
H10W 76/43 氣態填充物[2026.01]
H10W 76/45 液態填充物[2026.01]
H10W 76/47 固態或凝膠填充物[2026.01]
H10W 76/48 包含吸濕或反應材料的填充物,用於吸收或與濕氣及其他不良物質反應[2026.01]
H10W 76/60 密封件 [2026.01]
H10W 76/63 特徵在於其形狀或佈置,例如位於容器蓋與壁之間[2026.01]
H10W 76/67 特徵在於其材料[2026.01]
H10W 78/00 用於封裝晶片操作中之可拆卸式支撐支架[2026.01]
H10W 80/00 晶片、晶圓或基板之直接鍵合[2026.01]
H10W 90/00 封裝配置[2026.01]
H10W 90/10 側向相鄰晶片的配置[2026.01]
H10W 90/15 側向相鄰晶片具有不同厚度[2026.01]
H10W 90/20 堆疊晶片的配置[2026.01]
H10W 90/22 疊晶片分佈於封裝基板、中介層或再分布層[RDL]的上下兩側[2026.01]
H10W 90/24 至少一個堆疊晶片側向偏移相鄰堆疊晶片,例如晶片堆疊呈現階梯形[2026.01]
H10W 90/26 具有相同尺寸且無側向偏移的堆疊晶片,例如晶片堆疊呈現矩形[2026.01]
H10W 90/28 具有不同尺寸的堆疊晶片,例如晶片堆疊呈現金字塔形[2026.01]
H10W 95/00 本次類目中未涵蓋的封裝製程[2026.01]
H10W 99/00 本次類目中不包括的技術主題[2026.01]
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