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氣體噴灑頭

國發獎-103034

本創作突破磊晶製程低鍍率與低氣體使用率之問題,

以創新雙層緩衝層及同心環流道設計結構技術,增加層流設計的容許範圍,

降低腔體熱流場溫度變異,大幅提昇磊晶鍍率與氣體使用率,

以填補國內 LED 前段磊晶設備產業關鍵模組供應鏈的缺口,增加國內光電關鍵元件產業之國際競爭力。

  • 發布日期 : 104-03-13
  • 更新日期 : 110-03-18
  • 發布單位 : 專利行政企劃組
  • 瀏覽人次 : 505

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