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半導體結構及其製造方法

半導體結構及其製造方法

本發明為晶圓上電鍍銀合金凸塊或銀合金重佈線,用以連通半導體晶片與基板之電路,特色為調整特殊之電鍍液使晶圓電鍍銀金合金凸塊成為可行製程。銀合金材料特性為最高導電性及最高導熱性,且有效避免純銀氧化及硫化之缺點,目前在半導體業界尚無此材料結構之產品。 本發明提供一種接合效能及電性能力均佳之銀合金凸塊結構,運用於半導體結構之電性接合,舉凡半導體裝置輸出入電極接點, 如凸塊(Bump)、晶圓上重分佈線路(RDL)、柱狀連通結構(Pillar Structure) 及矽基穿孔(TSV) 等等,均為本發明可運用之範疇。 南茂科技為專業晶圓凸塊電鍍代工廠,其晶圓電鍍製程更為其核心技術之一。此專利發明之銀合金凸塊,具有低材料成本之優勢,可謂為公司集團內戰略核心材料,在全世界晶圓電鍍市場上具技術領先性,對於公司產品之未來發展極為重要。

  • 發布日期 : 106-05-12
  • 更新日期 : 109-02-14
  • 發布單位 : 國際事務及綜合企劃組
  • 瀏覽人次 : 583

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