剖析世界智慧財產權組織近年來經常運用流向圖於專利及商標之分析報告，以快速掌握相關產業的技術專利或商標布局之動向，本文以寬能隙半導體元件中的氮化鎵與碳化矽電晶體作為分析主題，透過實際數據展開實作，並就專利布局流向圖進行分析，希冀使我國申請人對寬能隙半導體元件專利申請布局態樣及申請生態有更明晰的認識，以利未來發展適宜的專利布局策略。

• 發布日期 : 113-01-05
• 更新日期 : 112-12-27
• 發布單位 : 國際及法律事務室
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