化合物(寬能隙，Wide Band Gap，簡稱WBG)半導體已成為未來各大產業發展舉足輕重的關鍵要件，其中不可或缺的便是碳化矽(SiC）、氮化鎵(GaN)功率元件，本分析報告闡述化合物半導體GaN、SiC功率元件與矽基半導體功率元件之差異，以及化合物半導體GaN、SiC功率元件在未來扮演的角色，並以化合物半導體之GaN、SiC功率元件做為分析目標。

本報告針對化合物半導體做專利申請趨勢分析、前十大專利申請人分析、前十大申請地區分析、生命週期分析、技術分類分析、企業研發競爭力、核心專利判讀、國家別產業應用判讀分析、主要專利權人產業應用判讀分析等，透過以上的分析項目，施以交叉分析比對，以獲得當前產業技術脈絡。

臺灣具有全球高度發展的半導體製造產業，其豐富的半導體製造經驗可作為後盾，未來在化合物半導體GaN、SiC功率元件製造、應用產業上將有更多發展的可能，可望帶動臺灣在能源議題上的蓬勃發展，透過本專利布局分析報告，提供國內產業相關技術布局概況與未來發展方向建議之參考，以利國內產業了解技術整體發展趨勢，搶攻化合物半導體功率元件新藍海商機。

• 發布日期 : 111-09-05
• 更新日期 : 111-09-01
• 發布單位 : 國際及法律事務室
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