韓國智慧財產處(MOIP)為因應快速變動的半導體技術競爭環境，並協助韓國企業及早取得高品質專利，於2026年3月9日發布「半導體領域專利審查實務指南」（下稱本指南），以提供更明確的半導體領域之專利判斷標準，強化半導體專利審查可預測性。

　　半導體產業在極紫外光(EUV)微影製程、非晶碳硬遮罩、高頻寬記憶體(HBM)，以及次世代人工智慧半導體(NPU、PIM)等領域，正迅速朝向微縮化、積體化與高速化發展。根據MOIP對企業及專利代理業界之調查結果顯示，對於進步性判斷標準，仍存在較高的疑慮，因此業界普遍認為專利審查需反映半導體產業特性。

　　MOIP自半導體領域之實際審查案例中精選常見案例，並依專利要件判斷之相關法條與類型加以分類，制定本指南，主要涵蓋以下三項核心專利要件之具體判斷基準：

一、發明說明書之記載要件：發明可據以實現等之判斷方法。

　　*例如：以半導體相關文獻加以檢視，僅依發明說明書所記載之內容，所屬技術領域之通常知識者仍無法據以實現請求項所揭露之發明情形。

二、申請專利範圍之記載要件：請求項記載不明確等之判斷方法。

　　*例如：請求項中所使用之技術用語不明確之情形。

三、進步性等專利要件：包含先前技術之結合是否能被輕易完成、是否僅屬簡單變更等之判斷方法。

　　*例如：先前技術僅以較上位之概念性結構提及，並未具體揭露申請發明之構成及其所產生之效果，因此難以認定該發明係可由先前技術所輕易導出，故不應據此否定其進步性。

　　另本指南亦納入半導體領域中常見之「製造方法界定物（Product-by-Process, PBP）請求項」之專利要件判斷方法，例如：當請求項係以製造方法加以限定，但其最終產物之構成與先前技術並無差異時，應認定不具新穎性。

　　MOIP已於2026年4月針對半導體IP協議團體舉辦說明會，以提升半導體領域產、學、研相關人士對本指南的理解與運用。